1. 物料型号：
- BU2727DF，这是Inchange Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors的型号。
2. 器件简介：
- 该器件为硅NPN功率晶体管，具有TO-3PFa封装。
- 高电压、高速性能。
- 内置阻尼二极管。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：集电极（Collector）
- 3号引脚：发射极（Emitter）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值（Ta=25°C）：
- VCBO：集电极-基极电压，开路发射极，1700V
- VCEO：集电极-发射极电压，开路基极，825V
- VEBO：发射极-基极电压，开路集电极，7.5V
- Ilc：集电极电流（DC），12A
- ICM：集电极电流-峰值，30A
- IB：基极电流（DC），12A
- IBM：基极电流-峰值，25A
- Ptot：总功率耗散，45W
- T：结温，150°C
- Tstg：存储温度，-65~150°C
5. 功能详解：
- 特性参数（Tj=25℃，除非另有说明）：
- VCEO(SUS)：集电极-发射极维持电压，Ic=100mA；l=0.25mH，825V
- V(BREBO：发射极-基极击穿电压，Ib=600mA；Ic=0，7.5V至13.5V
- VcEsat：集电极-发射极饱和电压，Ic=5A；Ib=0.91A，1.0V
- VBEsat：基极-发射极饱和电压，Ic=5A；Ib=0.91A，1.0V
- ICES：集电极截止电流，Tj=125°C，1.0至2.0mA
- IEBO：发射极截止电流，VEB=7.5V；Ic=0，110mA
- hFE-1：直流电流增益，Ic=0.1A；VcE=5V，6
- hFE-2：直流电流增益，Ic=5A；VcE=1V，5.5至11
- VF：二极管正向电压，If=7A，2.2V
6. 应用信息：
- 用于高分辨率显示器的水平偏转电路。
7. 封装信息：
- TO-3PFa封装，具体尺寸如图2所示，未标明的公差为±0.30mm。
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