BU407FI

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BU407FI - isc Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BU406FI/407FI DESCRIPTION ·High Voltage ·Fast Switching Speed: toff= 0.75μs (Max) ·Low Saturation Voltage: VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC= 5A APPLICATIONS ·Designed for use in converters, inverters, switching regulators and motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER Collector-Emitter Voltage BU406FI BU407FI BU406FI BU407FI VALUE 400 V 330 200 V 150 5 7 15 4 6 18 150 -65~150 V A A A A W ℃ ℃ UNIT VCES VCEO Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage VEBO IC ICM IB B Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current-Continuous Base Current-Peak Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range IBM PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c Rth j-a PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case Thermal Resistance,Junction to Ambient MAX 7 55 UNIT ℃/W ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BU406FI VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage BU407FI VCE(sat) VBE(sat) ICES Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Collector Cutoff Current BU406FI ICES Collector Cutoff Current BU407FI IEBO fT toff Emitter Cutoff Current Current-Gain—Bandwidth Product Turn-Off Time IC= 5A; IB= 0.5A B BU406FI/407FI CONDITIONS MIN 200 TYP. MAX UNIT IC= 200mA ; IB= 0; L= 25mH 150 1.0 1.2 0.05 1.0 0.1 1.0 V V V mA IC= 5A; IB= 0.5A B VCE= VCESmax; VBE= 0 VCE= 250V; VBE= 0 VCE= 350V; VBE= 0;TJ=150℃ VCE= 200V; VBE= 0 VCE= 200V; VBE= 0;TJ=150℃ VEB= 5V; IC= 0 IC= 0.5A ; VCE= 10V IC= 5A; IB1= -IB2= 0.5A 4 mA 0.1 1.0 1.0 mA MHz 0.75 μs isc Website：www.iscsemi.cn 2

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BU407FI

1. 物料型号： - BU406FI - BU407FI

2. 器件简介： - 高电压 - 快速开关速度：t_off = 0.75μs（最大值） - 低饱和电压：V_CE(sat) = 1.0V（最大值）@ I_C = 5A

3. 引脚分配： - PIN 1: BASE - PIN 2: COLLECTOR - PIN 3: EMITTER - 封装：TO-220F

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - VCES（Collector-Emitter Voltage）：BU406FI为400V，BU407FI为330V - VCEO（Collector-Emitter Voltage）：BU406FI为200V，BU407FI为150V - VEBO（Emitter-Base Voltage）：5V - Ic（Collector Current-Continuous）：7A - IcM（Collector Current-Peak）：15A - lB（Base Current-Continuous）：4A - IBM（Base Current-Peak）：6A - Pc（Collector Power Dissipation @Tc=25°C）：18W - TJ（Junction Temperature）：150°C - Tstg（Storage Temperature Range）：-65~150°C

5. 功能详解： - 适用于转换器、逆变器、开关稳压器和电机控制系统等。 - 电气特性（T_C=25°C，除非另有说明）： - VCEO(SUS)（Collector-Emitter Sustaining Voltage）：BU406FI为200V，BU407FI为150V - VcE(sat)（Collector-Emitter Saturation Voltage）：1.0V - VBE(sat)（Base-Emitter Saturation Voltage）：1.2V - ICEs（Collector Cutoff Current）：0.05~1.0mA - IcEs（Collector Cutoff Current）：BU406FI为0.1~1.0mA，BU407FI为0.1~1.0mA - IEBO（Emitter Cutoff Current）：1.0mA - fr（Current-Gain-Bandwidth Product）：4MHz - toff（Turn-Off Time）：0.75μs

6. 应用信息： - 设计用于转换器、逆变器、开关稳压器和电机控制系统等。

7. 封装信息： - 封装类型：TO-220F - 封装尺寸参数： - A: 14.95~15.05mm - B: 10.00~10.10mm - C: 4.40~4.60mm - D: 0.75~0.80mm - F: 3.10~3.30mm - H: 3.70~3.90mm - J: 0.50~0.70mm - K: 13.4~13.6mm - L: 1.10~1.30mm - N: 5.00~5.20mm - Q: 2.70~2.90mm - R: 2.20~2.40mm - S: 2.65~2.85mm - U: 6.40~6.60mm

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