BU426A

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BU426A - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BU426A DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS) = 400V(Min) ·High Switching Speed APPLICATIONS ·Designed for switch-mode CTV supply systems applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCES VCEO VEBO IC ICM IB B PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage VBE= 0 Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current-Continuous Base Current-Peak Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE 900 900 400 10 6 10 2 3 70 150 -65~150 UNIT V V V V A A A A W ℃ ℃ IBM PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance, Junction to Case MAX 1.1 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. BU426A MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 0.1A ;IB= 0; L= 25mH B 400 V VCE(sat)-1 VCE(sat)-2 VBE(sat)-1 VBE(sat)-2 ICES Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 2.5A; IB= 0.5A 1.5 V Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 1.25A B 3.0 V Base-Emitter Saturation Voltage IC= 2.5A; IB= 0.5A IC= 4A; IB= 1.25A B 1.4 V Base-Emitter Saturation Voltage 1.6 1.0 2.0 10 V Collector Cutoff Current VCE= 900V; VBE= 0 VCE= 900V; VBE= 0;TJ=125℃ VEB= 10V; IC=0 mA IEBO Emitter Cutoff Current mA hFE DC Current Gain IC= 0.6A ; VCE= 5V 15 60 Switching Times μs μs μs ton tstg tf Turn-On Time IC= 2.5A; IB1= 0.5A; IB2= -1A; VCC= 250V 0.15 0.6 Storage Time 3.5 Fall Time isc Website：www.iscsemi.cn 2

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BU426A

1. 物料型号：BU426A，这是ISC品牌的硅NPN功率晶体管。

2. 器件简介： - 该晶体管的集电极-发射极维持电压为400V（最小值）。 - 具有高开关速度，适用于开关模式CTV供电系统应用。

3. 引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTER（发射极），采用TO-3PN封装。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值包括：集电极-基极电压（Vcbo）900V，集电极-发射极电压（Vces）900V，集电极-发射极电压（Vceo）400V，发射极-基极电压（Vebo）10V，连续集电极电流（Ic）6A，峰值集电极电流（Icm）10A，连续基极电流（Ib）2A，峰值基极电流（Ibm）3A，集电极功耗（Pc）70W，结温（Tj）150°C，存储温度范围（Tstg）-65~150°C。

5. 功能详解： - 热特性：结到外壳的热阻（Rth j-c）最大为1.1°C/W。 - 电气特性：在25°C下，包括维持电压、饱和电压、截止电流、开关时间等参数。

6. 应用信息： - 设计用于开关模式CTV供电系统应用。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-3PN，具体尺寸参数如下： - A: 19.90-20.10mm - B: 15.50-15.70mm - C: 4.70-4.90mm - D: 0.90-1.10mm - E: 1.90-2.10mm - F: 3.40-3.60mm - G: 2.90-3.10mm - H: 3.20-3.40mm - J: 0.595-0.605mm - K: 20.50-20.70mm - N: 10.89-10.91mm - Q: 4.90-5.10mm - R: 3.35-3.45mm - S: 1.995-2.005mm - U: 5.90-6.10mm - Y: 9.90-10.10mm

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