BU4508DZ

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BU4508DZ - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

数据手册：

下载BU4508DZ.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

BU4508DZ 数据手册

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BU4508DZ DESCRIPTION ·High Voltage·High Switching Speed ·Built-in Damer Diode APPLICATIONS ·Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCES VCEO VEBO IC ICM IB B PARAMETER Collector- Emitter Voltage(VBE= 0) Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current- Continuous Collector Current-Peak Base Current- Continuous Base Current-Peak Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE 1500 800 7.5 8 15 4 6 32 150 -65~150 UNIT V V V A A A A W ℃ ℃ IBM PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case MAX 4.0 UNIT ℃/W Rth j-c isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN BU4508DZ TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 100mA; IB= 0, L= 25mH 800 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 600mA; IC= 0 7.5 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 5A; IB= 1.25A B 3.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 5A; IB= 1.25A B 1.03 1.0 2.0 7 V ICES Collector Cutoff Current VCE= 1500V; VBE= 0 VCE= 1500V; VBE= 0; TC=125℃ IC= 0.5A; VCE= 5V mA hFE-1 DC Current Gain hFE-2 DC Current Gain IC= 5A; VCE= 5V 4.2 7.3 VECF C-E Diode Forward Voltage IF= 5A 2.2 V Switching times (16kHz line deflection circuit) Storage Time IC= 5A, IB1= 1A; IB2= -2.5A tf Fall Time 0.4 μs 3.75 μs tstg isc Website：www.iscsemi.cn 2

下载 PDF

BU4508DZ

1. 物料型号： - 型号为BU4508DZ，是由INCHANGE Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管。

2. 器件简介： - BU4508DZ具有高电压、高开关速度和内置钳位二极管的特点。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（BASE） - 引脚2：集电极（COLLECTOR） - 引脚3：发射极（EMITTER） - 封装类型为TO-220F。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值包括：VCES（集电极-发射极电压）1500V，VCEO（集电极-发射极电压）800V，VEBO（发射极-基极电压）7.5V，Ic（集电极连续电流）8A，ICM（集电极峰值电流）15A，IB（基极连续电流）4mA，IBM（基极峰值电流）6mA，Pc（集电极功耗）32W，TJ（结温）150°C，Tstg（存储温度范围）-65~150°C。

5. 功能详解： - 该器件设计用于彩色电视机水平偏转电路中。

6. 应用信息： - 适用于彩色电视机接收器的水平偏转电路。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-220F，具体尺寸参数如下： - A: 14.95mm至15.05mm - B: 10.00mm至10.10mm - C: 4.40mm至4.60mm - D: 0.75mm至0.80mm - F: 3.10mm至3.30mm - H: 3.70mm至3.90mm - J: 0.50mm至0.70mm - K: 13.4mm至13.6mm - L: 1.10mm至1.30mm - N: 5.00mm至5.20mm - Q: 2.70mm至2.90mm - R: 2.20mm至2.40mm - S: 2.65mm至2.85mm - U: 6.40mm至6.60mm - 热阻参数：Rth j-c（结到封装的热阻）最大值为4.0°C/W。

BU4508DZ 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“BU4508DZ”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货

搜索历史

BU4508DZ

相关技术文章