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BU4525AX

BU4525AX

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    BU4525AX - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BU4525AX 数据手册
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BU4525AX DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS)= 800V (Min) ·High Switching Speed APPLICATIONS ·Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers and PC monitors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCES Collector- Emitter Voltage(VBE= 0) 1500 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7.5 V IC ICM Collector Current- Continuous 12 A Collector Current-Peak 30 A IB B Base Current- Continuous 8 A IBM Base Current-Peak Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature 12 A PC 45 W ℃ ℃ TJ 150 Tstg Storage Temperature Range -55~150 THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case MAX 2.8 UNIT ℃/W Rth j-c isc Website:www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN BU4525AX TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 100mA ; IB= 0,L= 25mH 800 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 1mA; IC= 0 7.5 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 9A; IB= 2.25A B 3.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 9A; IB= 2.25A B 1.06 1.0 2.0 0.1 V ICES Collector Cutoff Current VCE= 1500V; VBE= 0 VCE= 1500V; VBE= 0; TC=125℃ VEB= 6V; IC= 0 mA IEBO Emitter Cutoff Current mA hFE-1 DC Current Gain IC= 1A; VCE= 5V 12 hFE-2 DC Current Gain IC= 9A; VCE= 5V 4.2 7.6 Switching times (16kHz line deflection circuit) Storage Time IC= 9A, IB1= 1.8A; IB2= -4.5A tf Fall Time 0.55 μs 4.5 μs tstg isc Website:www.iscsemi.cn 2
BU4525AX
1. 物料型号:BU4525AX,是一款由INCHANGE Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管。

2. 器件简介:BU4525AX设计用于在彩色电视接收器和个人电脑显示器的水平偏转电路中使用。它具有800V的最小集电极-发射极承受电压(VCEO(SUS))和高开关速度。

3. 引脚分配:该器件有三个引脚,分别是1.BASE(基极),2.COLLECTOR(集电极),3.EMITTER(发射极)。封装形式为TO-3P(H)S。

4. 参数特性: - 绝对最大额定值包括1500V的集电极-发射极电压(VCEO),7.5V的发射极-基极电压(VEBO),12A的连续集电极电流(Ic),30A的峰值集电极电流(ICM),8A的连续基极电流(IB),12A的峰值基极电流(IBM),45W的集电极功率耗散(Pc),150°C的结温(TJ),以及-55~150°C的存储温度范围(Tstg)。 - 热特性包括2.8°C/W的结到外壳的热阻(Rth j-c)。

5. 功能详解:BU4525AX具有800V的集电极-发射极维持电压(VCEO(SUS)),7.5V的发射极-基极击穿电压(VBR)EBO),以及在特定条件下的集电极-发射极饱和电压(VcE(sat))和基极-发射极饱和电压(VBE(sat))。此外,还提供了直流电流增益(hFE-1和hFE-2)和开关时间(tstg和tf)。

6. 应用信息:BU4525AX适用于彩色电视接收器和个人电脑显示器的水平偏转电路。

7. 封装信息:该器件采用TO-3P(H)S封装,具体的封装尺寸参数在文档中以表格形式给出,包括最小值和最大值。
BU4525AX 价格&库存

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