BU508AW

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BU508AW - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

数据手册：

下载BU508AW.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

BU508AW 数据手册

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BU508AW DESCRIPTION ・With TO-247 package ・High voltage ・High speed switching APPLICATIONS ・For use in horizontal deflection circuits of colour TV receivers. PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-247) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO IC ICM IB IBM Ptot Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Collector current (DC) Collector current -peak Base current (DC) Base current -peak Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base VALUE 1500 700 8 15 4 6 125 150 -65~150 UNIT V V A A A A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN BU508AW TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=100mA ;IB=0,L=25mH 700 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=4.5A ;IB=1.6A 1.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=4.5A ;IB=2A VCE=RatedVCE; VBE=0 TC=125℃ VEB=6.0V; IC=0 1.1 1.0 2.0 10 V ICES Collector cut-off current mA IEBO Emitter cut-off current mA hFE DC current gain IC=100mA ; VCE=5V 6 13 30 fT Transition frequency IE=0.1A ; VCE=5V 7 MHz Cob Output capacitance VCB=10V;IE=0;f=1.0MHz 125 pF 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BU508AW Fig.2 Outline dimensions 3

下载 PDF

BU508AW

物料型号： - BU508AW

器件简介： - BU508AW是一款硅NPN功率晶体管，具有TO-247封装，适用于高电压、高速开关应用，主要用于彩色电视机接收器的水平偏转电路。

引脚分配： - 1: Base（基极） - 2: Collector（集电极） - 3: Emitter（发射极）

参数特性： - VCBO（集电极-基极电压）：1500V，开路发射极 - VCEO（集电极-发射极电压）：700V，开路基极 - Ic（集电极电流，直流）：8A - ICM（集电极峰值电流）：15A - IB（基极电流，直流）：4A - IBM（基极峰值电流）：6A - Ptot（总功率耗散）：125W，Tc=25°C - Tj（结温）：150°C - Tstg（储存温度）：-65~150°C

功能详解： - VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：700V，Ic=100mA; IB=0, L=25mH - VcEsat（集电极-发射极饱和电压）：1.0V，Ic=4.5A; IB=1.6A - VBEsat（基极-发射极饱和电压）：1.1V，Ic=4.5A; IB=2A - IcEs（集电极截止电流）：1.0~2.0mA，Tc=125°C - IEBO（发射极截止电流）：10mA，VEB=6.0V; Ic=0 - hFE（直流电流增益）：6~30，Ic=100mA; VcE=5V - fr（过渡频率）：7MHz，Ic=0.1A; VcE=5V - Cob（输出电容）：125pF，VcB=10V; Ic=0; f=1.0MHz

应用信息： - 用于彩色电视机接收器的水平偏转电路。

封装信息： - TO-247封装，具体尺寸见图2。

BU508AW 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“BU508AW”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货

搜索历史

BU508AW

相关技术文章