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BU508DF

BU508DF

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    BU508DF - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BU508DF 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BU508DF DESCRIPTION ・With TO-3PFa package ・High voltage,high speed ・With integrated efficiency diode APPLICATIONS ・For use in horizontal deflection circuits of colour TV receivers PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPTION ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICP IB IBM Ptot Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector current (Pulse) Base current (DC) Base current (Pulse) Total power dissipation Max.operating junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 1500 700 5 8 15 4 6 34 150 -65~150 UNIT V V V A A A A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN BU508DF TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=100mA ;IB=0,L=25mH 700 V VCE(sat) Collector-emitter saturation voltage IC=4.5A; IB=1.6A 1.0 V VBE(sat) Base-emitter saturation voltage IC=4.5A ;IB=2A 1.1 V IEBO Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 VCB=BVCBO IE=0 TC=125℃ IC=0.5A ; VCE=5V 10 300 1.0 2.0 30 mA ICES Collector cut-off current mA hFE DC current gain fT Transition frequency IC=0.1A ; VCE=5V 7 MHz COB Output capacitance IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz 125 pF VF Diode forward voltage IF=4.5A 1.6 2.0 V 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BU508DF Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.30mm) 3
BU508DF
物料型号: - BU508DF

器件简介: - BU508DF是一款由Inchange Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors,具有TO-3PFa封装,高电压、高速特性,并集成了效率二极管。

引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极(Collector) - 3号引脚:发射极(Emitter)

参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):1500V - 集电极-发射极电压(VCEO):700V - 发射极-基极电压(VEBO):5V - 集电极电流(DC)(Ic):8A - 集电极电流(脉冲)(IcP):15A - 基极电流(DC)(IB):4A - 基极电流(脉冲)(IBM):6A - 总功耗(Ptot):34W - 最大工作结温(Tj):150℃ - 存储温度(Tstg):-65~150℃

功能详解: - BU508DF主要用于彩色电视机接收器的水平偏转电路中。 - 具有维持电压VCEO(SUS)为700V,饱和电压VCE(sat)为1.0V,基极-发射极饱和电压VBE(sat)为1.1V等特性。 - 发射极截止电流IEBO为300mA,集电极截止电流ICES在125℃时为1.0至2.0mA。 - DC电流增益hFE在0.5A时为10至30。 - 过渡频率fT为7MHz。 - 输出电容COB为125pF。 - 二极管正向电压VF为1.6至2.0V。

应用信息: - 用于彩色电视机接收器的水平偏转电路。

封装信息: - TO-3PFa封装,具体尺寸如图2所示,未标注的公差为0.30mm。
BU508DF 价格&库存

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