BU522A

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BU522A - isc Silicon Darlington NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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BU522A 数据手册

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon Darlington NPN Power Transistor BU522A DESCRIPTION ·High Voltage ·Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)= 2.0V @ IC= 4A APPLICATIONS ·Designed for use in ignition circuit. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) SYMBOL VCER(SUS) VCER VCBO VEBO IC IB B PARAMETER Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Base Current Collector Power Dissipation @TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE 400 425 450 5 7 2 75 150 -55~150 UNIT V V V V A A W ℃ ℃ PC Tj Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance, Junction to Case MAX 1.67 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon Darlington NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS IC= 1.0A; RBE= 270Ω MIN BU522A TYP. MAX UNIT VCER(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage 400 V VCE(sat) VBE(sat) ICER ICBO Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 80mA B 2.0 V Base-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 80mA B 2.5 V Collector Cutoff Current VCR= 400V; RBE= 270Ω VCB= 450V; IE= 0 1.0 mA Collector Cutoff Current 1.0 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 40 mA hFE DC Current Gain IC= 2.5A; VCE= 5V 250 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 0.3A; VCE= 5V 7.5 MHz COB Output Capacitance IE= 0; VCB= 10V; ftest= 0.1MHz 150 pF isc Website：www.iscsemi.cn

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BU522A

1. 物料型号：BU522A，这是一个ISC Silicon Darlington NPN Power Transistor。

2. 器件简介： - 高电压 - 低集电极饱和电压：V_{CE(sat)}=2.0 V @ I_{C}=4 A

3. 引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTER（发射极） - 封装类型：TO-220C

4. 参数特性： - 绝对最大额定值（在25°C下）： - 集电极-发射极电压（VCER(SUS)/VCER）：400V/425V - 集电极-基极电压（VCBO）：450V - 发射极-基极电压（VEBO）：5V - 集电极电流（Ic）：7A - 基极电流（Is）：2A - 集电极功耗（Pc）：75W - 结温（Tj）：150°C - 存储温度范围（Tstg）：-55~150°C

5. 功能详解： - 该器件设计用于点火电路。 - 电气特性（在25°C下，除非另有说明）： - 集电极-发射极维持电压（VCER(SUS)）：400V - 集电极-发射极饱和电压（VcE(sat)）：2.0V - 基极-发射极饱和电压（VBE(sat)）：2.5V - 集电极截止电流（ICER）：1.0mA - 集电极截止电流（ICBO）：1.0mA - 发射极截止电流（IEBO）：40mA - 直流电流增益（hFE）：250 - 电流增益-带宽积（fr）：7.5MHz - 输出电容（CoB）：150pF

6. 应用信息： - 设计用于点火电路。

7. 封装信息： - 封装类型：TO-220C - 封装尺寸参数（单位：mm）： - A: 15.70-15.90 - B: 9.90-10.10 - C: 4.20-4.40 - D: 0.70-0.90 - F: 3.40-3.60 - G: 4.98-5.18 - H: 2.70-2.90 - J: 0.44-0.46 - K: 13.20-13.40 - L: 1.10-1.30 - Q: 2.70-2.90 - R: 2.50-2.70 - S: 1.29-1.31 - U: 6.45-6.65 - V: 8.66-8.86

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