物料型号:BU608
器件简介:
BU608是一款由Inchange Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors,采用TO-3封装。适用于电视水平偏转输出应用。
引脚分配:
- 引脚1:Base(基极)
- 引脚2:Emitter(发射极)
- 引脚3:Collector(集电极)
参数特性:
- VCBO(集电极-基极电压):400V,开发射极
- VCEO(集电极-发射极电压):200V,开基极
- VEBO(发射极-基极电压):7V,开集电极
- Ic(集电极电流):7A
- Pc(集电极功耗):2.5W(Ta=25°C),100W(Tc=25°C)
- TJ(结温):200°C
- Tstg(存储温度):-65~200°C
热特性:
- Rthje(从结到外壳的热阻):1.75°C/W
功能详解:
- VCEO(SUS)(集电极-发射极维持电压):200V,在Ic=100mA; Ib=0条件下
- V(BR)CBO(集电极-基极击穿电压):400V,在Ic=1mA; Ie=0条件下
- V(BR)EBO(发射极-基极击穿电压):7V,在Ie=1mA; Ic=0条件下
- VcEsat(集电极-发射极饱和电压):1.0V,在Ic=6A; Ib=1.2A条件下
- VBEsat(基极-发射极饱和电压):1.5V,在Ic=6A; Ib=1.2A条件下
- ICBO(集电极截止电流):10μA,在VcB=400V; Ie=0条件下
- IEBO(发射极截止电流):10μA,在VEB=5V; Ic=0条件下
- hFE-1(直流电流增益):15,在Ic=1A; VcE=5V条件下
- hFE-2(直流电流增益):5,在Ic=7A; VcE=5V条件下
应用信息:
适用于电视水平偏转输出应用。