BU608

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BU608 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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BU608 数据手册

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BU608 DESCRIPTION ・With TO-3 package ・High voltage ・Wide area of safe operation APPLICATIONS ・For TV horizontal deflection output applications PINNING (See Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Collector DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Ta=25℃ PC Collector power dissipation TC=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 100 200 -65~200 ℃ ℃ Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE 400 200 7 7 2.5 W UNIT V V V A THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance from junction to case MAX 1.75 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEO(SUS) V(BR)CBO V(BR)EBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain CONDITIONS IC=100mA ; IB=0 IC=1mA; IE=0 IE=1mA; IC=0 IC=6A ;IB=1.2A IC=6A ;IB=1.2A VCB=400V; IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=1A ; VCE=5V IC=7A ; VCE=5V 15 5 MIN 200 400 7 TYP. BU608 MAX UNIT V V V 1.0 1.5 10 10 V V μA μA 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BU608 Fig.2 Outline dimensions 3

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BU608

物料型号：BU608

器件简介： BU608是一款由Inchange Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors，采用TO-3封装。适用于电视水平偏转输出应用。

引脚分配： - 引脚1：Base（基极） - 引脚2：Emitter（发射极） - 引脚3：Collector（集电极）

参数特性： - VCBO（集电极-基极电压）：400V，开发射极 - VCEO（集电极-发射极电压）：200V，开基极 - VEBO（发射极-基极电压）：7V，开集电极 - Ic（集电极电流）：7A - Pc（集电极功耗）：2.5W（Ta=25°C），100W（Tc=25°C） - TJ（结温）：200°C - Tstg（存储温度）：-65~200°C

热特性： - Rthje（从结到外壳的热阻）：1.75°C/W

功能详解： - VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：200V，在Ic=100mA; Ib=0条件下 - V(BR)CBO（集电极-基极击穿电压）：400V，在Ic=1mA; Ie=0条件下 - V(BR)EBO（发射极-基极击穿电压）：7V，在Ie=1mA; Ic=0条件下 - VcEsat（集电极-发射极饱和电压）：1.0V，在Ic=6A; Ib=1.2A条件下 - VBEsat（基极-发射极饱和电压）：1.5V，在Ic=6A; Ib=1.2A条件下 - ICBO（集电极截止电流）：10μA，在VcB=400V; Ie=0条件下 - IEBO（发射极截止电流）：10μA，在VEB=5V; Ic=0条件下 - hFE-1（直流电流增益）：15，在Ic=1A; VcE=5V条件下 - hFE-2（直流电流增益）：5，在Ic=7A; VcE=5V条件下

应用信息：适用于电视水平偏转输出应用。

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