0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
BU608D

BU608D

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    BU608D - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BU608D 数据手册
INCHANGE Semiconductor Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BU608D DESCRIPTION ·High Voltage: VCEV= 400V(Min) ·Fast Switching Speed: tf= 0.5μs(Max) ·Low Saturation Voltage: VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC= 6A APPLICATIONS ·Designed for use in horizontal deflection output stages of TV’s and CRT’s ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEV VCEO VEBO IC ICM IB B PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE 400 400 200 6 7 10 4 90 150 -65~150 UNIT V V V V A A A W ℃ ℃ PC TJ Tstg isc Website:www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. BU608D MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 100mA ;IB= 0 200 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 6A; IB= 1.2A B 1.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 6A; IB= 1.2A B 1.5 V hFE DC Current Gain IC= 2A; VCE= 5V; 15 ICEV Collector Cutoff Current VCE= 400V; VBE= -1.5V 15 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 6V; IC= 0 400 mA fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 0.5A ; VCE= 10V, ftest= 1MHz 10 MHz VECF C-E Diode Forward Voltage IF= 5A 1.5 V tf Fall Time IC= 6A; IB1= -IB2= 1.2A, VCC= 40V 0.5 μs isc Website:www.iscsemi.cn 2
BU608D
1. 物料型号: - 型号为BU608D。

2. 器件简介: - 该器件是NPN型功率晶体管,具有高电压、快速开关速度和低饱和电压的特性。

3. 引脚分配: - 引脚1:基极(BASE) - 引脚2:发射极(EMITTER) - 引脚3:集电极(COLLECTOR,同时为外壳)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值包括400V的集电极-基极电压(VCBO)、集电极-发射极电压(VcEV、VCEO)和6V的发射极-基极电压(VEBO)。 - 连续集电极电流(Ic)为7A,峰值集电极电流(IcM)为10A,基极电流(1B)为4A。 - 集电极功耗(Pc)为90W,结温(TJ)为150°C,存储温度范围(Tstg)为-65°C至150°C。

5. 功能详解: - 电气特性表中列出了在25°C下的工作条件,包括维持电压(VCEO(SUS))、饱和电压(VcE(sat)、VBE(sat))、直流电流增益(hFE)、集电极截止电流(IcEV)、发射极截止电流(IEBO)、电流增益-带宽积(fT)和集电极-发射极二极管正向电压(VECF)等。

6. 应用信息: - 设计用于电视和CRT的水平偏转输出阶段。

7. 封装信息: - 封装类型为TO-3,具体尺寸参数包括A、B、C、D、E、G、H、K、N、Q、U、V等,每个参数都有最小值和最大值。
BU608D 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“BU608D”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货