BU626A

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BU626A - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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BU626A 数据手册

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BU626A DESCRIPTION ・With TO-3 package ・Short switching times. ・High dielectric strength. APPLICATIONS ・For use in power supply units of TV receives. PINNING(see fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PT Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 1000 400 7 10 15 100 175 -65~175 UNIT V V V A A W ℃ ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-C PARAMETER Thermal resistance junction to case MAX 1.5 UNIT K/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. BU626A MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=50mA; IB=0; 400 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=10mA; IC=0; 7 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=8A;IB=2.5 A 3.3 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=8A;IB=2.5 A 2.2 V ICES Collector cut-off current VCE=1000V;VBE=0 1.0 mA hFE-1 DC current gain IC=10A ; VCE=1.5V 10 hFE-2 DC current gain IC=2.5A ; VCE=10V 15 fT Transition frequency IC=0.1A ; VCE=10V 6 MHz μs tf Fall time IC=8A;IB1=-IB2=2.5A; 1 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BU626A Fig.2 Outline dimensions 3

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BU626A

物料型号： - BU626A

器件简介： - BU626A是由Inchange Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管，具有TO-3封装，短开关时间和高介电强度。

引脚分配： | PIN | DESCRIPTION | | --- | --- | | 1 | Base（基极） | | 2 | Emitter（发射极） | | 3 | Collector（集电极） |

参数特性： - 绝对最大额定值： - VCBO（集电极-基极电压）：1000V，开发射极 - VCEO（集电极-发射极电压）：400V，开基极 - VEBO（发射极-基极电压）：7V，开集电极 - lc（集电极电流）：10A - ICM（集电极峰值电流）：15A - PT（总功率耗散）：100W，Tc=25°C - TJ（结温）：175°C - Tstg（储存温度）：-65~175°C

- 热特性： - Rth jc（结到外壳的热阻）：1.5 K/W

- 特性（Tj=25℃除非另有说明）： - V(BR)CEO（集电极-发射极击穿电压）：400V，Ic=50mA;Ib=0; - V(BR)EBO（发射极-基极击穿电压）：7V，Ie=10mA;Ic=0; - VcEsat（集电极-发射极饱和电压）：3.3V，Ic=8A;Ib=2.5A - VBEsat（基极-发射极饱和电压）：2.2V，Ic=8A;Ib=2.5A - IcEs（集电极截止电流）：1.0mA，VcE=1000V;VBE=0 - hFE-1（直流电流增益）：10，Ic=10A;VcE=1.5V - hFE-2（直流电流增益）：15，Ic=2.5A;VcE=10V - fr（过渡频率）：6MHz，Ic=0.1A;VcE=10V - t1（下降时间）：1us，Ic=8A;Ib1=-18V;Ib2=2.5A

功能详解： - BU626A适用于电视接收器的电源单元中，以其短开关时间和高介电强度为特点。

应用信息： - 用于电视接收器的电源单元。

封装信息： - TO-3封装，具体尺寸见图2。

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