BU705

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BU705 - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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BU705 数据手册

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BU705 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS)= 700V (Min) ·High Switching Speed APPLICATIONS ·Designed for use in horizontal deflection circuits of TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCES Collector- Emitter Voltage(VBE= 0) 1500 V VCEO Collector-Emitter Voltage 700 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC ICM Collector Current- Continuous 2.5 A Collector Current-Peak tp

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BU705

物料型号： - 型号：BU705

器件简介： - isc Silicon NPN Power Transistor，即isc品牌的硅NPN功率晶体管，具有高开关速度，适用于电视机水平偏转电路。

引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTER（发射极） - 封装类型：TO-3PN

参数特性： - 集电极-发射极击穿电压（VCEO）：700V - 集电极-发射极电压（VCES）：1500V - 发射极-基极电压（VEBO）：5V - 连续集电极电流（Ic）：2.5A - 峰值集电极电流（ICM）：4A（tp<2ms） - 连续基极电流（lB）：2A - 峰值基极电流（IBM）：4A（tp<2ms） - 集电极功耗（Pc）：75W（Tc=25°C） - 结温（TJ）：150℃ - 存储温度范围（Tstg）：-65~150℃ - 热阻（Rth j-c）：1.67℃/W

功能详解和应用信息： - 设计用于电视机接收器的水平偏转电路。 - 具有700V的最小集电极-发射极击穿电压，高开关速度，适用于功率开关应用。

封装信息： - 封装类型为TO-3PN，具体尺寸参数如下： - A: 19.90mm - 20.10mm - B: 15.50mm - 15.70mm - C: 4.70mm - 4.90mm - D: 0.90mm - 1.10mm - E: 1.90mm - 2.10mm - F: 3.40mm - 3.60mm - G: 2.90mm - 3.10mm - H: 3.20mm - 3.40mm - J: 0.595mm - 0.605mm - K: 20.50mm - 20.70mm - N: 10.89mm - 10.91mm - Q: 4.90mm - 5.10mm - R: 3.35mm - 3.45mm - S: 1.995mm - 2.005mm - U: 5.90mm - 6.10mm - Y: 9.90mm - 10.10mm

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