BU705F

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BU705F - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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BU705F 数据手册

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BU705F DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS)= 700V (Min) ·High Switching Speed APPLICATIONS ·Designed for use in horizontal deflection circuits of TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCES VCEO VEBO IC ICM IB B PARAMETER Collector- Emitter Voltage(VBE= 0) Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current- Continuous Collector Current-Peak Base Current- Continuous Base Current-Peak Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE 1500 700 5 2.5 4 2 4 29 150 -65~150 UNIT V V V A A A A W ℃ ℃ IBM PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case MAX 4.37 UNIT ℃/W Rth j-c isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. BU705F MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 100mA ; IB= 0;L= 25mH 700 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 2A; IB= 0.9A B 5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 2A; IB= 0.9A B 1.3 0.15 1 1 V ICES Collector Cutoff Current VCE= VCESmax ; VBE= 0 VCE= VCESmax ; VBE= 0; TJ=125℃ VEB= 5V ; IC= 0 mA IEBO Emitter Cutoff Current mA hFE DC Current Gain IC= 2A ; VCE= 5V 2.2 COB Output Capacitance IE= 0; VCB= 10V; ftest= 0.1MHz 65 pF fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 0.1A; VCE= 5V; ftest= 5MHz 7 MHz Switching Times tstg Storage Time IC= 2A ;IB(end)= 0.9A; LB= 15μH 7.5 μs tf Fall Time 0.9 μs isc Website：www.iscsemi.cn 2

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BU705F

1. 物料型号：BU705F，是一款硅NPN功率晶体管。

2. 器件简介： - 具有700V的集电极-发射极维持电压（$V_{CEO(SUS)}=700V$）。 - 高开关速度。 - 适用于电视机水平偏转电路。

3. 引脚分配： - PIN 1: 基极（BASE） - PIN 2: 集电极（COLLECTOR） - PIN 3: 发射极（EMITTER）

4. 参数特性： - 集电极-发射极电压（$V_{CEO}$）：700V - 发射极-基极电压（$V_{EBO}$）：5V - 连续集电极电流（$I_c$）：2.5A - 峰值集电极电流（$I_{CM}$）：4A - 连续基极电流（$I_B$）：2A - 峰值基极电流（$I_{BM}$）：4A - 集电极功率耗散在25°C时（$P_c$）：29W - 结温（$T_J$）：150℃ - 存储温度范围（$T_{stg}$）：-65~150℃

5. 功能详解： - 该晶体管适用于电视机水平偏转电路，具有较高的开关速度和维持电压。

6. 应用信息： - 设计用于电视机水平偏转电路。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-3PFa，具体的封装尺寸参数如下： - A: 20.70mm至21.30mm - B: 14.70mm至15.30mm - C: 4.80mm至5.20mm - D: 0.90mm至1.10mm - F: 3.20mm至3.40mm - H: 3.70mm至4.30mm - J: 0.50mm至0.70mm - K: 16.40mm至17.00mm - L: 1.90mm至2.10mm - N: 10.80mm至11.00mm - Q: 5.60mm至6.00mm - R: 1.80mm至2.20mm - S: 3.10mm至3.50mm - T: 8.70mm至9.30mm - U: 0.55mm至0.75mm

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