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BU902

BU902

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    BU902 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BU902 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BU902 DESCRIPTION ・With TO-3PN package ・High voltage ・High speed switching APPLICATIONS ・For color TV horizontal deflection circuits. PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PT Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Total power dissipation Junction temperature Storage temperature tp
BU902
1. 物料型号:BU902,这是Inchange Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors的型号。

2. 器件简介:BU902是一款具有TO-3PN封装的Silicon NPN Power Transistor,适用于彩色电视水平偏转电路,具有高电压和高速开关的特性。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极,连接到安装底座(Collector;connected to mounting base) - 3号引脚:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - VCBO(Collector-base voltage):1100V - VCEO(Collector-emitter voltage):480V - VEBO(Emitter-base voltage):7V - Ic(Collector current):8A - ICM(Collector current-peak):15A(tp<5ms) - PT(Total power dissipation):100W(Tc=25°C) - T(Jdone):150°C - Tstg(Storage temperature):-65~150°C

5. 功能详解: - VCEO(SUS):Collector-emitter sustaining voltage,480V - V(BR)EBO:Emitter-base breakdown voltage,7V - VCEsat:Collector-emitter saturation voltage,5.0V(IC=4A;IB=0.8A) - VBEsat:Base-emitter saturation voltage,1.5V(IC=4A;IB=0.8A) - ICBO:Collector cut-off current,1.0 mA(VCB=1100V;IE=0) - IEBO:Emitter cut-off current,0.1 mA(VEB=5V;IC=0) - hFE-1:DC current gain,10(IC=1A ; VCE=5V) - hFE-2:DC current gain,5.5(IC=4A ; VCE=5V)

6. 应用信息:BU902适用于彩色电视水平偏转电路。

7. 封装信息:TO-3PN,具体尺寸见图2(Fig.2 outline dimensions)。
BU902 价格&库存

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