BU931

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BU931 - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BU931 DESCRIPTION ·High Voltage ·DARLINGTON APPLICATIONS ·High ruggedness electronic ignitions ·High voltage ignition coil driver ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB B PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Collector Current-peak Base Current Base Current-peak Collector Power Dissipation @TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE 500 400 5 15 30 1 5 175 200 -65~200 UNIT V V V A A A A W ℃ ℃ IBM PC Tj Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance, Junction to Case MAX 1.0 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. BU931 MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 0.1A; IB= 0;L= 10mH 400 V VCE(sat)-1 V CE(sat)-2 V CE(sat)-3 VBE(sat)-1 V BE(sat)-2 V BE(sat)-3 ICES Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 7A; IB= 70mA B 1.6 V Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 8 A; IB= 100mA 1.8 V Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 10 A; IB= 250mA B 1.8 V Base-Emitter Saturation Voltage IC= 7A; IB= 70mA B 2.2 V Base-Emitter Saturation Voltage IC= 8 A; IB= 100mA 2.4 V Base-Emitter Saturation Voltage IC= 10A; IB= 250mA VCE= 500V;VBE= 0 VCE= 500V;VBE= 0;Tj= 125℃ VCE= 450V;IB= 0 VCE= 450V;IB= 0;Tj= 125℃ VEB= 5V; IC= 0 IC= 5A ; VCE= 10V 300 2.5 0.1 0.5 0.1 0.5 20 V Collector Cutoff Current mA ICEO Collector Cutoff Current mA IEBO hFE Emitter Cutoff Current mA DC Current Gain VECF C-E Diode Forward Voltage IF= 10A 2.5 V isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BU931 isc Website：www.iscsemi.cn

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BU931

1. 物料型号： - 型号：BU931 - 制造商：INCHANGE Semiconductor

2. 器件简介： - 描述：BU931是一款硅NPN功率晶体管，具有高电压和达林顿（Darlington）结构。 - 应用：适用于高耐压电子点火系统和高电压点火线圈驱动。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（BASE） - 引脚2：发射极（EMITTER） - 引脚3：集电极（COLLECTOR，也称为CASE）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - 集电极-基极电压（VCBO）：500V - 集电极-发射极电压（VCEO）：400V - 发射极-基极电压（VEBO）：5V - 集电极电流（Ic）：15A - 集电极峰值电流（IcM）：30A - 基极电流（Ib）：1A - 基极峰值电流（IbM）：5A - 集电极功耗（Pc）：175W - 结温（T）：200℃ - 存储温度范围（Tstg）：-65~200℃

5. 功能详解： - 电气特性（在25°C下，除非另有说明）： - 维持电压（VCEO(SUS)）：400V - 饱和电压（VCE(sat)）：在不同集电极电流下分别为1.6V、1.8V和1.8V - 基极-发射极饱和电压（VBE(sat)）：在不同集电极电流下分别为2.2V、2.4V和2.5V - 集电极截止电流（IcES）：0.1mA至0.5mA - 发射极截止电流（IEBO）：20mA - 直流电流增益（hFE）：300 - 集电极-发射极二极管正向电压（VECF）：2.5V

6. 应用信息： - 适用于高耐压电子点火系统和高电压点火线圈驱动。

7. 封装信息： - 封装类型：TO-3，具体尺寸参数如下： - A：39.00mm - B：25.30mm至26.67mm - C：7.80mm至8.30mm - D：0.90mm至1.10mm - E：1.40mm至1.60mm - G：10.92mm - H：5.46mm - K：11.40mm至13.50mm - L：16.75mm至17.05mm - N：19.40mm至19.62mm - O：4.00mm至4.20mm - U：30.00mm至30.20mm - V：4.30mm至4.50mm

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