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BUF405A

BUF405A

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    BUF405A - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BUF405A 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUF405A DESCRIPTION ・With TO-220C package ・High voltage,high speed APPLICATIONS ・Switch mode power supplies ・Motor drivers PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION ・ Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB IBM Ptot Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector current-Peak Base current (DC) Base current-Peak Total power dissipation Maximum operating junction temperature Storage temperature tp
BUF405A
物料型号: - 型号:BUF405A

器件简介: - BUF405A是一款由Inchange Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors,具有TO-220C封装,适用于高电压、高速应用,如开关电源和电机驱动器。

引脚分配: - PIN 1: Base(基极) - PIN 2: Collector; connected to mounting base(集电极;连接到安装底座) - PIN 3: Emitter(发射极)

参数特性: - VCBO(集电极-基极电压):1000V - VCEO(集电极-发射极电压):450V - VEBO(发射极-基极电压):7V - Ic(集电极电流(DC)):7.5A - ICM(集电极峰值电流):15A(t < 5ms) - IB(基极电流(DC)):3A - IBM(基极峰值电流):4.5A(tp < 5ms) - Ptot(总功耗):80W(Tc=25°C) - Tj(最大工作结温):150°C - Tstg(存储温度):-65~150°C

功能详解: - 该器件在Tj=25℃的条件下,具有以下特性: - VCEO(SUS)(集电极-发射极维持电压):450V - V(BR)EBO(发射极-基极击穿电压):7V - VCEsat(集电极-发射极饱和电压):0.8V(Ic=2.5A; IB=0.25A, Tc=100°C)至2.8V(Ic=5A; IB=1A, Tc=100°C) - VBEsat(基极-发射极饱和电压):0.9V(Ic=2.5A; IB=0.25A, Tc=100°C)至1.5V(Ic=5A; IB=1A, Tc=100°C) - IcEv(集电极截止电流):100uA至500uA(VcE=1000V; VBE=-1.5V, Tc=100°C) - EBO(发射极截止电流):1mA(VEB=5V; Ic=0)

应用信息: - 适用于开关电源和电机驱动器。

封装信息: - 封装类型:TO-220C - 封装尺寸:见图1(未标明的公差:0.1mm)
BUF405A 价格&库存

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