BUF405AXI

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BUF405AXI - isc Silicon NPN Power Transistor BUF405AXI - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUF405AXI DESCRIPTION ·High Voltage ·High Speed Switching APPLICATIONS ·Designed for high reliability industrial and professional power driving applications such as motor drivers and off-line switching power supplies. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) SYMBOL VCEV VCEO VEBO IC ICM IB B PARAMETER Collector-Emitter Voltage VBE= -1.5V Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current-Continuous Base Current-peak Collector Power Dissipation @TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE 1000 450 7 7.5 15 3 4.5 39 150 -65~150 UNIT V V V A A A A W ℃ ℃ IBM PC Tj Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case MAX 3.2 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEO(SUS) V(BR)EBO VCE(sat)-1 VCE(sat)-2 VBE(sat)-1 VBE(sat)-2 ICER ICEV IEBO PARAMETER Collector-Emitter Sustaining Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Collector Cutoff Current Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current CONDITIONS IC= 0.2A; IB= 0; L= 25mH IE= 50mA; IC= 0 IC= 2.5A; IB= 0.25A IC= 5A; IB= 1A B BUF405AXI MIN 450 7 TYP. MAX UNIT V V 0.8 0.5 0.9 1.1 0.1 0.5 0.1 0.5 1.0 V V V V mA mA mA IC= 2.5A; IB= 0.25A IC= 5A; IB= 1A B VCE= VCEV; RBE= 5Ω VCE= VCEV; RBE= 5Ω;TC=100℃ VCE= VCEV; VBE= -1.5V VCE= VCEV; VBE= -1.5V;TC=100℃ VEB= 5V; IC= 0 Switching Times ts tf Storage Time Fall Time 0.8 0.05 μs μs IC= 2.5A;IB1= 0.25A;VCC= 50V; VBB= -5V, RBB= 2.4Ω;L= 1mH Vclamp= 400V isc Website：www.iscsemi.cn

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BUF405AXI

1. 物料型号： - 型号：BUF405AXI

2. 器件简介： - 该晶体管是高电压、高速开关的NPN功率晶体管，设计用于高可靠性的工业和专业功率驱动应用，如电机驱动和离线开关电源。

3. 引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTTER（发射极）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值（在25°C环境温度下）： - VCEV（集电极-发射极电压）：1000V - VCEO（集电极-发射极电压）：450V - VEBO（发射极-基极电压）：7V - IC（集电极电流）：连续7.5A，峰值15A - IB（基极电流）：连续3A，峰值4.5A - PC（集电极功耗）：在25°C时39W - Tj（结温）：150°C - Tstg（存储温度范围）：-65~150°C

5. 功能详解： - 电气特性（在25°C环境温度下，除非另有说明）： - VCEO(SUS)：集电极-发射极维持电压，Ic=0.2A; Ib=0; L=25mH，值为450V - VBE(BRO)：发射极-基极击穿电压，I=50mA; Ic=0，值为7V - VE(sat-1)：集电极-发射极饱和电压，Ic=2.5A; Ib=0.25A，值为0.8V - VE(sat-2)：集电极-发射极饱和电压，Ic=5A; Ib=1A，值为0.5V - VBE(sat)-1：基极-发射极饱和电压，Ic=2.5A; Ib=0.25A，值为0.9V - VBE(sat)-2：基极-发射极饱和电压，Ic=5A; Ib=1A，值为1.1V - ICER：集电极截止电流，VcE=VcEV; Rbe=5kΩ; Tc=100°C，值为0.1~0.5mA - IcEV：集电极截止电流，VcE=VCEV; VBE=-1.5V; Tc=100°C，值为0.1~0.5mA - IEBO：发射极截止电流，VEB=5V; Ic=0，值为1.0mA - 存储时间（ts）：Ic=2.5A; Ib1=0.25A; Vcc=50V; VBB=-5V, RBB=2.4Ω; L=1mH，值为0.8us - 下降时间（tf）：Vclamp=400V，值为0.05us

6. 应用信息： - 该晶体管设计用于高可靠性工业和专业功率驱动应用，如电机驱动和离线开关电源。

7. 封装信息： - 封装类型：TO-220F - 封装尺寸参数（单位为mm）： - A：14.95~15.05 - B：10.00~10.10 - C：4.40~4.60 - D：0.75~0.80 - H：3.70~3.90 - K：13.4~13.6 - N：5.00~5.20 - O：2.70~2.90 - R：2.20~2.65 - S：2.40~2.85 - U：6.40~6.60

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