BUH417D

BUH417D

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    BUH417D - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BUH417D 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUH417D DESCRIPTION ・With TO-3PML package ・High voltage ・High speed switching ・Built-in damper diode APPLICATIONS ・Switching power supply for TV’s and monitors PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB IBM Ptot Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector current -peak Base current (DC) Base current -peak Total power dissipation Junction temperature Storage temperature tp
BUH417D
物料型号: - BUH417D

器件简介: - BUH417D是一款硅NPN功率晶体管,具有TO-3PML封装。它具有高电压、高速开关特性,并内置阻尼二极管。

引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极(Collector) - 3号引脚:发射极(Emitter)

参数特性: - 集-基电压(VCBO):1500V - 集-射电压(VCEO):700V - 发-基电压(VEBO):10V - 集电极电流(DC)(Ic):7A - 集电极峰值电流(ICM):12A(tp<5ms) - 基极电流(DC)(Is):4A - 基极峰值电流(IBM):7A(tp<5ms) - 总功耗(Ptot):55W(Tc=25°C) - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-65~150°C

功能详解: - BUH417D的主要特性包括集-射饱和电压(VcEsat)、基-射饱和电压(VBEsat)、集电极截止电流(IcES)、发射极截止电流(IEBO)、直流电流增益(hFE-1和hFE-2)以及二极管正向电压(VF)。

应用信息: - BUH417D适用于电视和显示器的开关电源。

封装信息: - TO-3PML封装,具体尺寸见图2。
BUH417D 价格&库存

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