BUJ403A

BUJ403A

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    BUJ403A - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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BUJ403A 数据手册
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUJ403A DESCRIPTION ·High Voltage ·High Speed Switching APPLICATIONS ·Desined for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor control systems, etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB B PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current Base Current-Peak Collector Power Dissipation @TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE 1200 550 7 6 10 3 5 100 150 -65~150 UNIT V V V A A A A W ℃ ℃ IBM PC Tj Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case MAX 1.25 UNIT ℃/W isc Website:www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEO(SUS) VCE(sat) VBE(sat) ICES ICEO IEBO hFE-1 hFE-2 hFE-3 hFE-4 PARAMETER Collector-Emitter Sustaining Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Collector Cutoff Current Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current DC Current Gain DC Current Gain DC Current Gain DC Current Gain CONDITIONS IC= 10mA; IB= 0, L= 25mH IC= 2A; IB= 0.4A B BUJ403A MIN 550 TYP. MAX UNIT V 1.0 1.5 1 2 0.1 0.1 13 20 13 15.5 47 25 V V mA mA mA IC= 2A; IB= 0.4A B VCE=RatedVCES ;VBE= 0 VCE=RatedVCES ;VBE= 0;TC=125℃ VCE= 550V; IB= 0 VEB= 7V; IC= 0 IC= 1mA ; VCE= 5V IC= 0.5A ; VCE= 5V IC= 2A ; VCE= 5V IC= 3A ; VCE= 5V Switching Times ;Resistive Load ton ts tf Turn-on Time Storage Time Fall Time IC= 2.5A; IB1= -IB2= 0.5A; RL= 75Ω; VBB2= 4V 0.5 3.0 0.3 μs μs μs isc Website:www.iscsemi.cn
BUJ403A
1. 物料型号:BUJ403A

2. 器件简介: - 该器件是一个NPN型功率晶体管,具有高电压和高速开关特性。 - 适用于高频电子镇流器、转换器、逆变器、开关稳压器、电机控制系统等。

3. 引脚分配: - PIN 1: BASE(基极) - PIN 2: COLLECTOR(集电极) - PIN 3: EMITTER(发射极) - 封装类型为TO-220C。

4. 参数特性: - 绝对最大额定值: - VCBO(集电极-基极电压):1200V - VCEO(集电极-发射极电压):550V - VEBO(发射极-基极电压):7V - Ic(集电极连续电流):6A - ICM(集电极峰值电流):10A - Is(基极电流):3A - IBM(基极峰值电流):5A - Pc(集电极功率耗散@Tc=25°C):100W - Tj(结温):150℃ - Tstg(存储温度范围):-65~150℃

5. 功能详解: - 电气特性(在25°C下,除非另有说明): - VCEO(SUS)(集电极-发射极维持电压):在Ic=10mA; Ib=0, L=25mH条件下为550V。 - VcE(sat)(集电极-发射极饱和电压):在Ic=2A; Ib=0.4A条件下为1.0V。 - VBE(sat)(基极-发射极饱和电压):在Ic=2A; Ib=0.4A条件下为1.5V。 - ICES(集电极截止电流):在VcE=额定VcEs; VcE=额定VcEs; Tc=125°C条件下为12mA。 - ICEO(集电极截止电流):在VcE=550V; Ib=0条件下为0.1mA。 - IEBO(发射极截止电流):在VEB=7V; Ic=0条件下为0.1mA。 - hFE(直流电流增益):在不同Ic条件下有不同的典型值,如Ic=1mA时为13,Ic=0.5A时为20,Ic=2A时为13,Ic=3A时为15.5。 - 开关时间:包括开通时间(ton)、存储时间(ts)和下降时间(t),具体数值根据条件有所不同。

6. 应用信息: - 设计用于高频电子镇流器、转换器、逆变器、开关稳压器、电机控制系统等。

7. 封装信息: - 封装类型为TO-220C,具体尺寸参数如下: - A: 15.70~15.90mm - B: 9.90~10.10mm - C: 4.20~4.40mm - D: 0.70~0.90mm - F: 3.40~3.60mm - G: 4.98~5.18mm - H: 2.70~2.90mm - J: 0.44~0.46mm - K: 13.20~13.40mm - L: 1.10~1.30mm - O: 2.70~2.90mm - R: 2.50~2.70mm - S: 1.29~1.31mm - U: 6.45~6.65mm - V: 8.66~8.86mm
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