物料型号：
- 型号：BUL52B
器件简介：
- BUL52B是一款硅PNP功率晶体管，采用TO-220C封装，具有高电压、快速开关和高能量等级的特点。该器件设计用于电子镇流器应用。
引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：集电极，连接到M安装底座（Collector; connected to M mounting base）
- 3号引脚：发射极（Emitter）
参数特性：
- 绝对最大额定值：
- VCBO：800V
- VCEO：400V
- VEBO：10V
- Ic：8A（DC）
- ICM：12A（峰值）
- lB：4A
- Ptot：100W（在Tc=25°C时的总功率耗散）
- Tstg：-55~150°C（存储温度）
功能详解：
- 该晶体管在25°C下的特性参数包括：
- VCEO(SUS)：400V（维持电压）
- V(BR)CBO：800V（击穿电压）
- V(BR)EBO：10V（发射极击穿电压）
- VCEsat：0.1至0.5V（饱和电压，不同条件下）
- VBEsat：1.0至1.2V（基极-发射极饱和电压）
- ICBO、ICEO、IEBO：截止电流
- hFE：直流电流增益，不同条件下的值
- fr：20MHz（转换频率）
- Cab：40pF（输出电容）
应用信息：
- 设计用于电子镇流器应用。
封装信息：
- 封装类型：TO-220C
- 图2显示了封装的外形尺寸，未标明的公差为0.1mm。
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