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BUL6825

BUL6825

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    BUL6825 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BUL6825 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUL6825 DESCRIPTION ・With TO-220C package ・High voltage ,high speed APPLICATIONS ・Relay drivers ・Inverters ・Switching regulators ・Deflection circuits PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION ・ Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB IBM PD Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector current-Peak Base current Base current-PeaK Ta=25℃ Total power dissipation TC=25℃ Junction temperature Storage temperature 75 150 -65~150 ℃ ℃ Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE 700 400 9 4 8 2 4 2 W UNIT V V V A A A A THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-C PARAMETER Thermal resistance from junction to case VALUE 1.67 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEO(SUS) VCEsat-1 VCEsat-2 VCEsat-3 VBEsat-1 VBEsat-2 ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 fT COB PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency Collector outoput capacitance CONDITIONS IC=10mA ;IB=0 IC=1A ;IB=0.2A IC=2A ;IB=0.5A TC=100℃ IC=4A ;IB=1A IC=1A; IB=0.2A IC=2A ;IB=0.5A TC=100℃ VCB=700V ;IE=0 TC=100℃ VEB=9V; IC=0 IC=1A ; VCE=5V IC=2A ; VCE=5V IC=0.5A ; VCE=5V f=1MHz ; VCB=10V 10 8 4 65 MIN 400 TYP. BUL6825 MAX UNIT V 0.5 0.6 1.0 1.0 1.2 1.6 1.5 1.0 5.0 1.0 60 40 V V V V V mA mA MHz pF Switching times resistive load td tr ts tf Delay time Rise time Storage time Fall time VCC=125V ,IC=2A IB1=- IB2=0.4A tp=25μs duty cycle≤1% 0.1 0.7 4.0 0.9 μs μs μs μs 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BUL6825 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance: 0.1mm) 3
BUL6825
物料型号:BUL6825

器件简介: BUL6825是一款硅NPN功率晶体管,具有高电压、高速特性,并且采用TO-220C封装。适用于继电器驱动、逆变器、开关稳压器和偏转电路等应用。

引脚分配: - 引脚1:基极(Base) - 引脚2:集电极,连接到安装底(Collector;connected to mounting base) - 引脚3:发射极(Emitter)

参数特性: - 集-基电压(VCBO):700V - 集-射电压(VCEO):400V - 发-基电压(VEBO):9V - 集电极直流电流(Ilc):4A - 集电极峰值电流(IcM):8A - 基极电流(IB):2A - 基极峰值电流(IBM):4A - 总功率耗散(P0):2W(Ta=25°C),75W(Tc=25°C) - 结温(TJ):150°C - 存储温度(Tstg):-65~150°C

功能详解: - 该器件在25°C下工作,除非另有说明。 - 维持电压(VCEO(SUS)):400V - 饱和电压(VCEsat):在不同条件下有不同的值,例如1A时为0.5V,2A时为0.6-1.0V,4A时为1.0V - 基-射饱和电压(VBEsat):在不同条件下有不同的值,例如1A时为1.2V,2A时为1.5-1.6V - 集电极截止电流(ICBO):在700V下为1.0-5.0mA - 发射极截止电流(IEBO):在9V下为1.0mA - 直流电流增益(hFE):在不同条件下有不同的值,例如1A时为10-60,2A时为8-40 - 转换频率(fr):4MHz - 集电极输出电容(COB):65pF

应用信息: BUL6825适用于继电器驱动、逆变器、开关稳压器和偏转电路等应用。

封装信息: BUL6825采用TO-220C封装,具体尺寸见图2,未标明的公差为0.1mm。
BUL6825 价格&库存

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