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BUP22A

BUP22A

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    BUP22A - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BUP22A 数据手册
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUP22A DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS) = 350V(Min) ·High Switching Speed APPLICATIONS ·Designed for use in converters, inverters, switchingregulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCES VCEO VEBO IC ICM IB B PARAMETER Collector- Emitter Voltage VBE=0 Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current-Continuous Base Current-Peak Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE 650 350 9 8 20 4 6 125 150 -65~150 UNIT V V V A A A A W ℃ ℃ IBM PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance, Junction to Case MAX 1.0 UNIT ℃/W isc Website:www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN BUP22A TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 0.1A ;IB= 0; L=25 mH B 350 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 6A; IB= 0.67A B 1.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 6A; IB= 0.67A B 1.5 1 2 10 V ICES Collector Cutoff Current VCE= VCESmax;VBE= 0 VCE= VCESmax;VBE= 0; TJ= 125℃ VEB= 9V; IC=0 mA IEBO Emitter Cutoff Current mA hFE DC Current Gain IC= 1A; VCE= 5V 25 Switching Times; Resistive Load ton Turn-On Time 0.5 μs ts Storage Time IC= 6A; IB1= -IB2= 0.67A 3.0 μs tf Fall Time 0.3 μs isc Website:www.iscsemi.cn 2
BUP22A
1. 物料型号:BUP22A

2. 器件简介: - 该晶体管是一款硅NPN功率晶体管,具有高开关速度,适用于转换器、逆变器、开关稳压器、电机控制系统等。

3. 引脚分配: - PIN 1: BASE(基极) - PIN 2: COLLECTOR(集电极) - PIN 3: EMITTER(发射极)

4. 参数特性: - 集电极-发射极击穿电压(VCEO):350V - 集电极-发射极电压(VCES):650V - 发射极-基极电压(VEBO):9V - 连续集电极电流(Ic):8A - 峰值集电极电流(ICM):20A - 连续基极电流(Is):4A - 峰值基极电流(IBM):6A - 集电极功率耗散(Pc):125W - 结温(TJ):150°C - 存储温度范围(Tstg):-65°C至150°C

5. 功能详解: - 该晶体管能够在高电压和高电流条件下工作,适用于需要快速开关的应用场合。

6. 应用信息: - 设计用于转换器、逆变器、开关稳压器、电机控制系统等。

7. 封装信息: - 封装类型为TO-3PN,具体的封装尺寸参数如下: - A: 19.90mm至20.10mm - B: 15.50mm至15.70mm - C: 4.70mm至4.90mm - D至Y:其他尺寸参数也已列出,具体请参考PDF文档中的详细图表。
BUP22A 价格&库存

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