BUS23B

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BUS23B - isc Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUS23B/C DESCRIPTION ·High Switching Speed ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS)= 400V (Min)-BUS23B 450V (Min)-BUS23C APPLICATIONS ·Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BUS23B BUS23C BUS23B BUS23C VEBO IC ICM IB B MAX 750 UNIT VCES Collector- Emitter Voltage(VBE= 0) V 850 400 V 450 9 15 30 6 9 175 150 -65~150 V A A A A W ℃ ℃ VCEO Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current-Continuous Base Current-Peak Collector Power Dissipation @TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range IBM PC Tj Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance, Junction to Case MAX 0.7 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BUS23B VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage BUS23C BUS23B VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage BUS23C BUS23B VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage BUS23C ICES IEBO hFE Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current DC Current Gain IC= 10A; IB= 1.67A VCE=VCESMmax; VBE= 0 VEB= 9V; IC= 0 IC= 1.5A ; VCE= 5V IC= 10A; IB= 1.67A IC= 10A; IB= 1.33A IC= 10A; IB= 1.33A IC= 0.1A ; IB= 0; L= 25mH 450 CONDITIONS MIN 400 BUS23B/C TYP. MAX UNIT V 1.5 V 1.5 1.6 V 1.6 1 10 25 mA mA Switching Times , Resistive Load ton tstg tf Turn-On Time For BUS23B IC= 10A ;IB1= -IB2= 1.33A Storage Time For BUS23C IC= 10A; IB1= -IB2= 1.67A Fall Time 0.27 2.0 μs μs 0.7 μs isc Website：www.iscsemi.cn

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BUS23B

1. 物料型号： - 型号为BUS23B/C，是NPN型硅功率晶体管。

2. 器件简介： - 这些晶体管具有高开关速度，适用于转换器、逆变器、开关稳压器、电机控制系统等。

3. 引脚分配： - 1号引脚为基极（BASE）， - 2号引脚为发射极（EMITTER）， - 3号引脚为集电极（COLLECTOR，也是外壳）。

4. 参数特性： - 集电极-发射极击穿电压（VCEO）：BUS23B为400V，BUS23C为450V。 - 集电极-发射极电压（VCES）：BUS23B为750V，BUS23C为850V。 - 发射极-基极电压（VEBO）：9V。 - 集电极电流-连续（Ic）：15A。 - 集电极电流-峰值（IcM）：30A。 - 基极电流-连续（Is）：6A。 - 基极电流-峰值（IBM）：9A。 - 集电极功率耗散@Tc=25°C（Pc）：175W。 - 结温（Tj）：150℃。 - 存储温度范围（Tstg）：-65~150℃。

5. 功能详解： - 该晶体管能够承受高电压和大电流，适用于需要高开关速度和高功率处理的应用。

6. 应用信息： - 设计用于转换器、逆变器、开关稳压器、电机控制系统等。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-3，具体的封装尺寸参数如下： - A: 39.00mm - B: 25.30mm至26.67mm - C: 7.80mm至8.30mm - D: 0.90mm至1.10mm - E: 1.40mm至1.60mm - G: 10.92mm - H: 5.46mm - K: 11.40mm至13.50mm - L: 16.75mm至17.05mm - N: 19.40mm至19.62mm - Q: 4.00mm至4.20mm - U: 30.00mm至30.20mm - V: 4.30mm至4.50mm - 热阻（Rth j-c）：0.7℃/W，即结到外壳的热阻。

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