1. 物料型号：
- 型号为BUS23B/C，是NPN型硅功率晶体管。
2. 器件简介：
- 这些晶体管具有高开关速度，适用于转换器、逆变器、开关稳压器、电机控制系统等。
3. 引脚分配：
- 1号引脚为基极（BASE）。
- 2号引脚为发射极（EMITTER）。
- 3号引脚为集电极（COLLECTOR，CASE）。
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值包括：VCES（集电极-发射极电压）BUS23B为750V，BUS23C为850V；VCEO（集电极-发射极电压）BUS23B为400V，BUS23C为450V；VEBO（发射极-基极电压）为9V；Ic（集电极连续电流）为15A；IcM（集电极峰值电流）为30A；Ib（基极连续电流）为6mA；Ibm（基极峰值电流）为9mA；Pc（集电极功率耗散@Tc=25°C）为175W；Tj（结温）为150°C；Tstg（存储温度范围）为-65~150°C。
5. 功能详解：
- 这些晶体管设计用于高功率应用，具有较高的集电极-发射极电压和集电极电流承受能力，适合在高负载下工作。
6. 应用信息：
- 适用于转换器、逆变器、开关稳压器、电机控制系统等。
7. 封装信息：
- 封装类型为TO-3，具体的封装尺寸参数包括A、B、C、D、E、G、H、K、L、N、Q、U、V等，每个参数都有最小值和最大值范围。
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