BUT12

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BUT12 - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUT12 DESCRIPTION ·High Voltage ·High Speed Switching APPLICATIONS ·Converters ·Inverters ·Switching regulators ·Motor control systems ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB B PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current-Continuous Base Current-Peak Collector Power Dissipation @TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE 850 400 9 8 20 4 6 125 150 -65~150 UNIT V V V A A A A W ℃ ℃ IBM PC Tj Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case MAX 1.0 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. BUT12 MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 0.1A; IB= 0, L= 25mH 400 V VCE(sat) VBE(sat) ICES IEBO Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 6A; IB= 1.2A B 1.5 V Base-Emitter Saturation Voltage IC= 6A; IB= 1.2A B 1.5 1 3 10 V Collector Cutoff Current VCE=RatedVCES ;VBE= 0 VCE=RatedVCES ;VBE= 0;TC=125℃ VEB= 9V; IC= 0 mA Emitter Cutoff Current mA hFE-1 DC Current Gain IC= 10mA; VCE= 5V 10 35 hFE-2 DC Current Gain IC= 1A; VCE= 5V 10 35 Switching Times ;Resistive Load μs μs μs ton ts tf Turn-on Time 1.0 Storage Time IC= 6A; IB1= -IB2=1.2A 4.0 Fall Time 0.8 isc Website：www.iscsemi.cn

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BUT12

### 物料型号 - 型号：BUT12

### 器件简介 - 描述：BUT12是一款硅NPN功率晶体管，具有高电压和高速开关特性。

### 引脚分配 - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTER（发射极） - 封装类型：TO-220C

### 参数特性 - 绝对最大额定值： - VCBO（集电极-基极电压）：850V - VCEO（集电极-发射极电压）：400V - VEBO（发射极-基极电压）：9V - Ic（集电极连续电流）：8A - IcM（集电极峰值电流）：20A - IB（基极连续电流）：4mA - IBM（基极峰值电流）：6mA - Pc（集电极功耗@Tc=25°C）：125W - Tj（结温）：150°C - Tstg（存储温度范围）：-65~150°C

### 功能详解 - 应用领域：转换器、逆变器、开关稳压器、电机控制系统等。 - 电气特性（Tc=25°C）： - VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：400V - VcE(sat)（集电极-发射极饱和电压）：1.5V - VBE(sat)（基极-发射极饱和电压）：1.5V - IcEs（集电极截止电流）：1-3mA - IEBO（发射极截止电流）：10mA - hFE-1（直流电流增益）：10-35 - hFE-2（大信号直流电流增益）：10-35 - 开关时间（电阻负载）： - ton（开通时间）：1.0us - ts（存储时间）：4.0us - t（下降时间）：0.8us

### 应用信息 - 主要应用于需要高电压和高速开关的电力电子领域。

### 封装信息 - 封装类型：TO-220C - 封装尺寸参数： - A: 15.70-15.90mm - B: 9.90-10.10mm - C: 4.20-4.40mm - D: 0.70-0.90mm - F: 3.40-3.60mm - G: 4.98-5.18mm - H: 2.70-2.90mm - J: 0.44-0.46mm - K: 13.20-13.40mm - L: 1.10-1.30mm - O: 2.70-2.90mm - R: 2.50-2.70mm - S: 1.29-1.31mm - U: 6.45-6.65mm - V: 8.66-8.86mm

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