BUT12A

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BUT12A - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUT12A DESCRIPTION ·High Voltage ·High Speed Switching APPLICATIONS ·Converters ·Inverters ·Switching regulators ·Motor control systems ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB B PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current-Continuous Base Current-Peak Collector Power Dissipation @TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE 1000 450 9 8 20 4 6 125 150 -65~150 UNIT V V V A A A A W ℃ ℃ IBM PC Tj Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case MAX 1.0 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN BUT12A TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 0.1A; IB= 0, L= 25mH 450 V VCE(sat) VBE(sat) ICES IEBO Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 5A; IB= 1A B 1.5 V Base-Emitter Saturation Voltage IC= 5A; IB= 1A B 1.5 1 3 10 V Collector Cutoff Current VCE=RatedVCES ;VBE= 0 VCE=RatedVCES ;VBE= 0;TC=125℃ VEB= 9V; IC= 0 mA Emitter Cutoff Current mA hFE-1 DC Current Gain IC= 10mA; VCE= 5V 10 35 hFE-2 DC Current Gain IC= 1A; VCE= 5V 10 35 Switching Times ;Resistive Load μs μs μs ton ts tf Turn-on Time 1.0 Storage Time IC= 5A; IB1= -IB2=1A 4.0 Fall Time 0.8 isc Website：www.iscsemi.cn

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BUT12A

物料型号： - 型号：BUT12A

器件简介： - BUT12A是一款硅NPN功率晶体管，具有高电压和高速开关特性。

引脚分配： - PIN1：基极（BASE） - PIN2：集电极（COLLECTOR） - PIN3：发射极（EMITTER） - 封装：TO-220C

参数特性： - 绝对最大额定值： - 集-基电压（VCBO）：1000V - 集-发电压（VCEO）：450V - 发-基电压（VEBO）：9V - 集电极连续电流（Ic）：8A - 集电极峰值电流（IcM）：20A - 基极连续电流（IB）：4A - 基极峰值电流（IBM）：6A - 集电极功耗（Pc）：125W - 结温（Tj）：150℃ - 存储温度范围（Tstg）：-65~150℃

功能详解： - 该晶体管适用于转换器、逆变器、开关稳压器和电机控制系统等应用。 - 电气特性（在25°C下，除非另有说明）： - 维持电压（VCEO(SUS)）：450V - 饱和压降（VcE(sat)）：1.5V - 发射极饱和压降（VBE(sat)）：1.5V - 集电极截止电流（ICEs）：最大13mA - 发射极截止电流（IEBO）：最大10mA - 直流电流增益（hFE-1）：10至35（Ic=10mA; VcE=5V） - 直流电流增益（hFE-2）：10至35（Ic=1A; VcE=5V） - 开关时间（Resistive Load）： - 导通时间（ton）：1.0us - 存储时间（ts）：4.0us - 下降时间（tf）：0.8us

应用信息： - BUT12A适用于需要高电压和高速开关的应用，如转换器、逆变器、开关稳压器和电机控制系统。

封装信息： - 封装类型：TO-220C - 封装尺寸参数： - A：15.70mm至15.90mm - B：9.90mm至10.10mm - C：4.20mm至4.40mm - D：0.70mm至0.90mm - F：3.40mm至3.60mm - G：4.98mm至5.18mm - H：2.70mm至2.90mm - J：0.44mm至0.46mm - K：13.20mm至13.40mm - L：1.10mm至1.30mm - O：2.70mm至2.90mm - R：2.50mm至2.70mm - S：1.29mm至1.31mm - U：6.45mm至6.65mm - V：8.66mm至8.86mm

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