1. 物料型号：
- BUT12F和BUT12AF是Inchange Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管。
2. 器件简介：
- 这些晶体管具有TO-220Fa封装，适用于高电压、高速应用，例如转换器、逆变器、开关稳压器和电机控制系统。
3. 引脚分配：
- 引脚1：基极（Base）
- 引脚2：集电极（Collector）
- 引脚3：发射极（Emitter）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值：
- VCBO（集电极-基极电压）：BUT12F为850V，BUT12AF为1000V
- VCEO（集电极-发射极电压）：BUT12F为400V，BUT12AF为450V
- VEBO（发射极-基极电压）：9V
- Ic（集电极电流）：8A
- IcM（集电极峰值电流）：20A
- Ib（基极电流）：4A
- IbM（基极峰值电流）：6A
- Ptot（总功耗）：23W
- Tj（结温）：150°C
- Tstg（储存温度）：-65至150°C
5. 功能详解：
- 这些晶体管在25°C下工作，除非另有说明。具体特性包括集电极-发射极维持电压、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益等。
6. 应用信息：
- 适用于高电压、高速的应用场合，如转换器、逆变器、开关稳压器和电机控制系统。
7. 封装信息：
- 晶体管采用TO-220Fa封装，具体尺寸如图2所示，未标示的公差为±0.15mm。
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