物料型号：
- BUT18F
- BUT18AF
器件简介：
- 这些是硅NPN功率晶体管，采用TO-220Fa封装，适用于高电压、高速应用，如转换器、逆变器、开关稳压器和电机控制系统。
引脚分配：
| PIN | 描述 |
| --- | --- |
| 1 | Base（基极） |
| 2 | Collector（集电极） |
| 3 | Emitter（发射极） |
参数特性：
- VcBO（集电极-基极电压）：BUT18F为850V，BUT18AF为1000V。
- VCEO（集电极-发射极电压）：BUT18F为400V，BUT18AF为450V。
- VEBO（发射极-基极电压）：9V。
- Ic（集电极电流）：6A。
- ICM（集电极峰值电流）：12A。
- IB（基极电流）：3A。
- IBM（基极峰值电流）：6A。
- Ptot（总功率耗散）：33W。
- Tj（结温）：150℃。
- Tstg（储存温度）：-65至150℃。
功能详解：
- VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：BUT18F和BUT18AF分别为400V和450V。
- VcEsat（集电极-发射极饱和电压）：在Ic=4A时为1.5V。
- VBEsat（基极-发射极饱和电压）：在Ic=4A时为1.3V。
- ICES（集电极截止电流）：在VcE=850V或1000V时为1.0至2.0mA。
- IEBO（发射极截止电流）：在VEB=9V时为10mA。
- hFE-1（直流电流增益）：在Ic=10mA时为10至35。
- hFE-2（直流电流增益）：在Ic=1A时为10至35。
- 切换时间包括：开通时间（ton）、存储时间（ts）和下降时间（tf）。
应用信息：
- 适用于高电压、高速应用，如转换器、逆变器、开关稳压器和电机控制系统。
封装信息：
- TO-220Fa封装，具体尺寸如图2所示，未标明的公差为±0.15mm。
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