物料型号:
- BUT18F
- BUT18AF
器件简介:
- 这些是硅NPN功率晶体管,采用TO-220Fa封装,适用于高电压、高速应用,如转换器、逆变器、开关稳压器和电机控制系统。
引脚分配:
| PIN | 描述 |
| --- | --- |
| 1 | Base(基极) |
| 2 | Collector(集电极) |
| 3 | Emitter(发射极) |
参数特性:
- VcBO(集电极-基极电压):BUT18F为850V,BUT18AF为1000V。
- VCEO(集电极-发射极电压):BUT18F为400V,BUT18AF为450V。
- VEBO(发射极-基极电压):9V。
- Ic(集电极电流):6A。
- ICM(集电极峰值电流):12A。
- IB(基极电流):3A。
- IBM(基极峰值电流):6A。
- Ptot(总功率耗散):33W。
- Tj(结温):150℃。
- Tstg(储存温度):-65至150℃。
功能详解:
- VCEO(SUS)(集电极-发射极维持电压):BUT18F和BUT18AF分别为400V和450V。
- VcEsat(集电极-发射极饱和电压):在Ic=4A时为1.5V。
- VBEsat(基极-发射极饱和电压):在Ic=4A时为1.3V。
- ICES(集电极截止电流):在VcE=850V或1000V时为1.0至2.0mA。
- IEBO(发射极截止电流):在VEB=9V时为10mA。
- hFE-1(直流电流增益):在Ic=10mA时为10至35。
- hFE-2(直流电流增益):在Ic=1A时为10至35。
- 切换时间包括:开通时间(ton)、存储时间(ts)和下降时间(tf)。
应用信息:
- 适用于高电压、高速应用,如转换器、逆变器、开关稳压器和电机控制系统。
封装信息:
- TO-220Fa封装,具体尺寸如图2所示,未标明的公差为±0.15mm。