物料型号:
- BUT76
- BUT76A
器件简介:
- 这些是硅NPN功率晶体管,采用TO-220C封装,具有高电压、高速和高功率耗散特性。
引脚分配:
- 1号引脚:基极(Base)
- 2号引脚:安装基座(Mounting base)
- 3号引脚:发射极(Emitter),与集电极(Collector)相连
参数特性:
- 绝对最大额定值(在25°C环境温度下):
- 集电极-基极电压(VCBO):BUT76为850V,BUT76A为1000V
- 集电极-发射极电压(VCEO):BUT76为400V,BUT76A为450V
- 发射极-基极电压(VEBO):7V
- 集电极电流(IC):12A
- 集电极峰值电流(ICM):20A
- 基极峰值电流(IBM):6A
- 总功率耗散(Ptot):110W
- 结温(Tj):150°C
- 存储温度(Tstg):-65°C至150°C
功能详解:
- 这些晶体管在25°C结温下的特性,包括集电极-发射极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压、集电极截止电流、直流电流增益、输出电容和转换频率等参数。
应用信息:
- 适用于开关电源和电机控制及继电器驱动器。
封装信息:
- 提供了TO-220C封装的简化外形图和符号,以及未标明公差的尺寸图。