物料型号：
- BUT76
- BUT76A
器件简介：
- 这些是硅NPN功率晶体管，采用TO-220C封装，具有高电压、高速和高功率耗散特性。
引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：安装基座（Mounting base）
- 3号引脚：发射极（Emitter），与集电极（Collector）相连
参数特性：
- 绝对最大额定值（在25°C环境温度下）：
- 集电极-基极电压（VCBO）：BUT76为850V，BUT76A为1000V
- 集电极-发射极电压（VCEO）：BUT76为400V，BUT76A为450V
- 发射极-基极电压（VEBO）：7V
- 集电极电流（IC）：12A
- 集电极峰值电流（ICM）：20A
- 基极峰值电流（IBM）：6A
- 总功率耗散（Ptot）：110W
- 结温（Tj）：150°C
- 存储温度（Tstg）：-65°C至150°C
功能详解：
- 这些晶体管在25°C结温下的特性，包括集电极-发射极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压、集电极截止电流、直流电流增益、输出电容和转换频率等参数。
应用信息：
- 适用于开关电源和电机控制及继电器驱动器。
封装信息：
- 提供了TO-220C封装的简化外形图和符号，以及未标明公差的尺寸图。
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