BUT76A

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BUT76A - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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BUT76A 数据手册

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUT76 BUT76A DESCRIPTION ・With TO-220C package ・High voltage;high speed ・High power dissipation APPLICATIONS ・Switching mode power supply ・Motor control and relay driver PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION ・ Absolut maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BUT76 VCBO Collector-base voltage BUT76A BUT76 VCEO Collector-emitter voltage BUT76A VEBO IC ICM IBM Ptot Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current-peak Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base 450 7 12 20 6 110 150 -65~150 V A A A W ℃ ℃ Open emitter 1000 400 V CONDITIONS VALUE 850 V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to mounting case MAX 1.13 UNIT K/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BUT76 V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage BUT76A V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage BUT76 VCEsat Collector-emitter saturation voltage BUT76A BUT76 VBEsat Base-emitter saturation voltage BUT76A BUT76 ICES Collector cut-off current BUT76A hFE COB fT DC current gain Output capacitance Transition frequency IC=5A ;IB=1A VCE=850V; VBE=0 Tj=150℃ VCE=1000V; VBE=0 Tj=150℃ IC=8A ; VCE=3V IE=0 ;VCB=10V;f=1MHz IC=1A ;VCE=10V IC=5A ;IB=1A IC=6A ;IB=1.2A IE=1mA ;IC=0 IC=6A ;IB=1.2A IC=500mA ;LC=125mH CONDITIONS BUT76 BUT76A MIN 400 TYP. MAX UNIT V 450 6 V 1.5 V 1.6 V 0.5 2.0 mA 0.5 2.0 3.2 150 7 pF MHz Switching times resistive load ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time For BUT76A IC=5A ;IB1=-IB2=1A;VCE=150V 1.0 3.0 0.8 μs μs μs For BUT76 IC=6A ;IB1=-IB2=1.2A;VCE=150V 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BUT76 BUT76A Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10mm) 3

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BUT76A

1. 物料型号： - 型号：BUT76、BUT76A - 制造商：Inchange Semiconductor

2. 器件简介： - 描述：NPN型功率晶体管，采用TO-220C封装，具有高电压、高速、高功率耗散的特点。

3. 引脚分配： - PIN 1：基极（Base） - PIN 2：集电极，连接到安装底座（Collector;connected to mounting base） - PIN 3：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - VCBO（集电极-基极电压）：BUT76为850V，BUT76A为1000V - VCEO（集电极-发射极电压）：BUT76为400V，BUT76A为450V - VEBO（发射极-基极电压）：7V - Ic（集电极电流）：12A - ICM（集电极峰值电流）：20A - IBM（基极峰值电流）：6A - Ptot（总功率耗散）：110W - Tj（结温）：150℃ - Tstg（存储温度）：-65~150℃ - 热特性： - Rith j-c（结到安装外壳的热阻）：1.13K/W

5. 功能详解： - 特性参数（Tj=25℃，除非另有说明）： - V(BR)CEO（集电极-发射极击穿电压）：BUT76为400V，BUT76A为450V - V(BR)EBO（发射极-基极击穿电压）：6V - VCEsat（集电极-发射极饱和电压）：BUT76在Ic=6A, IB=1.2A时为1.5V；BUT76A在Ic=5A, IB=1A时为1.5V - VBEsat（基极-发射极饱和电压）：BUT76在Ic=6A, IB=1.2A时为1.6V；BUT76A在Ic=5A, IB=1A时为1.6V - IcEs（集电极截止电流）：BUT76在VcE=850V, VBE=0, T=150°C时为0.5~2.0mA；BUT76A在VcE=1000V, VBE=0, T=150°C时为0.5~2.0mA - hFE（直流电流增益）：在Ic=8A, VcE=3V时为3.2 - CoB（输出电容）：在le=0, VcB=10V, f=1MHz时为150pF - fT（过渡频率）：在Ic=1A, VcE=10V时为7MHz - 开关时间（电阻负载）：包括BUT76的开通时间（ton）为1.0s，存储时间（ts）为1.0s，下降时间（t）为0.8s；BUT76A的存储时间（ts）为3.0s，下降时间（t）为0.8s。

6. 应用信息： - 应用领域：开关电源、电机控制和继电器驱动。

7. 封装信息： - 封装类型：TO-220C - 封装尺寸图：提供了TO-220C的简化外形图和符号，具体尺寸未在文本中详述，但提供了一个链接到外形尺寸图的图片。

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