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BUV26AF

BUV26AF

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    BUV26AF - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BUV26AF 数据手册
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS) = 90V(Min)- BUV26F 100V(Min)- BUV26AF ·High Switching Speed APPLICATIONS ·Designed for fast switching applications such as high frequency and efficiency converters, switching regulators and motor control. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BUV26F BUV26AF BUV26F VCEO Collector-Emitter Voltage BUV26AF VEBO IC ICM IB B BUV26F/AF VALUE 180 UNIT VCES Collector-Emitter Voltage VBE= 0 V 200 90 V 100 5 14 25 4 6 18 150 -65~150 V A A A A W ℃ ℃ Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current-Continuous Base Current-Peak Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range IBM PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c Rth j-a PARAMETER Thermal Resistance, Junction to Case Thermal Resistance, Junction to Ambient MAX 7.0 55 UNIT ℃/W ℃/W isc Website:www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BUV26F IC= 0.2A ;IB= 0; L= 25mH B BUV26F/AF CONDITIONS MIN 90 TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage V 100 BUV26AF BUV26F BUV26AF BUV26F BUV26AF BUV26F BUV26AF BUV26F BUV26AF IC= 12A; IB= 1.2A IC= 10A; IB= 1.0A IC= 6A; IB= 0.6A B VCE(sat)-1 Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V 1.0 0.6 V 0.5 2.0 V 1.5 1.2 V 1.2 1.0 3.0 1.0 mA mA mA VCE(sat)-2 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 5A; IB= 0.5A B VBE(sat)-1 Base-Emitter Saturation Voltage IC= 12A; IB= 1.2A IC= 10A; IB= 1.0A IC= 6A; IB= 0.6A B VBE(sat)-2 Base-Emitter Saturation Voltage IC= 5A; IB= 0.5A B ICEX ICES IEBO Collector Cutoff Current Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current VCE=VCESmax;VBE=-1.5V,TJ=125℃ VCE=VCESmax;VBE=0,TJ=125℃ VEB= 5V; IC=0 Switching Times; Resistive Load ton tstg tf Turn-On Time Storage Time Fall Time For BUV26AF IC= 10A; IB1= 1.0A; IB2= -2.0A 0.4 0.45 0.12 0.6 1.0 0.25 μs μs μs For BUV26F IC= 12A; IB1= 1.2A; IB2= -2.4A isc Website:www.iscsemi.cn 2
BUV26AF
1. 物料型号: - 型号为BUV26F/AF。

2. 器件简介: - BUV26F/AF是NPN型功率晶体管,具有高开关速度,适用于高频和效率转换器、开关稳压器和电机控制等快速开关应用。

3. 引脚分配: - 引脚1:基极(BASE) - 引脚2:集电极(COLLECTOR) - 引脚3:发射极(EMITTER) - 封装为TO-220Fa。

4. 参数特性: - 集电极-发射极击穿电压(VCEO(SUS)):BUV26F为90V(最小值),BUV26AF为100V(最小值)。 - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):BUV26F在Ic=12A时为1.5V,在Ic=6A时为0.6V;BUV26AF在Ic=10A时为1V,在Ic=5A时为0.5V。 - 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)):BUV26F在Ic=12A时为2.0V,在Ic=6A时为1.2V;BUV26AF在Ic=10A时为1.5V,在Ic=5A时为1.2V。

5. 功能详解: - 该晶体管设计用于快速开关应用,具有高开关速度和高效率。

6. 应用信息: - 适用于高频和效率转换器、开关稳压器和电机控制等应用。

7. 封装信息: - 封装类型为TO-220Fa,具体尺寸参数如下: - A: 16.85mm至17.15mm - B: 9.90mm至10.10mm - C: 4.35mm至4.65mm - D: 0.75mm至0.80mm - 更多尺寸参数在文档中有详细描述。
BUV26AF 价格&库存

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