1. 物料型号:BUV42A,这是一个NPN型功率晶体管。
2. 器件简介:
- 低集电极饱和电压:V_{CE(sat)}=0.9V(最大值)@ I_{C}=4A。
- 高开关速度。
3. 引脚分配:
- PIN 1: BASE(基极)。
- PIN 2: EMITTER(发射极)。
4. 参数特性:
- 绝对最大额定值(Ta=25°C):
- VcEV(集电极-发射极电压VBE=-1.5V):400V
- VCEO(集电极-发射极电压):300V
- VEBO(发射极-基极电压):7V
- Ic(集电极连续电流):12A
- IcM(集电极峰值电流):18A
- Ib(基极连续电流):2.5A
- IBM(基极峰值电流):4A
- Pc(集电极耗散功率@Tc=25°C):120W
- TJ(结温):200°C
- Tstg(存储温度范围):-65~200°C
5. 功能详解:
- 电气特性(T_{C}=25°C,除非另有说明):
- VCEO(SUS)(集电极-发射极维持电压):Ic=0.2A; IB=0; L=25mH,300V
- V(BR)EBO(发射极-基极击穿电压):Ic=50mA; Ic=0,7V
- VcE(sat)(集电极-发射极饱和电压):Ic=4A; IB=0.4A,0.9V
- VBE(sat)(基极-发射极饱和电压):Ic=4A; IB=0.4A,1.3V
- ICER(集电极截止电流):VcE=400V; RBE=10Ω; Tc=100°C,0.5~2.5mA
- IcEV(集电极截止电流):VcE=400V; VBE=-1.5V; Tc=100°C,0.5~2.0mA
- IEBO(发射极截止电流):VEB=5V; Ic=0,1.0mA
6. 应用信息:
- 设计用于高电流、高速、高功率应用。
7. 封装信息:
- 封装类型为TO-3,具体的封装尺寸参数如下:
- A: 39.00mm
- B: 25.30~26.67mm
- C: 7.80~8.30mm
- D: 0.90~1.10mm
- E: 1.40~1.60mm
- G: 10.92mm
- H: 5.46mm
- K: 11.40~13.50mm
- L: 16.75~17.05mm
- N: 19.40~19.62mm
- Q: 4.00~4.20mm
- U: 30.00~30.20mm
- V: 4.30~4.50mm