BUV42A

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BUV42A - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV42A DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)= 0.9V(Max.) @IC= 4A ·High Switching Speed APPLICATIONS ·Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCEV VCEO VEBO IC ICM IB B PARAMETER Collector-Emitter Voltage VBE=-1.5V Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current-Continuous Base Current- Peak Collector Power Dissipation @TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE 400 300 7 12 18 2.5 4 120 200 -65~200 UNIT V V V A A A A W ℃ ℃ IBM PC Tj Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case MAX 1.46 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN BUV42A TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 0.2A; IB= 0; L= 25mH 300 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 50mA; IC= 0 7 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 0.4A B 0.9 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 0.4A B 1.3 0.5 2.5 0.5 2.0 1.0 V ICER Collector Cutoff Current VCE= 400V;RBE= 10Ω VCE= 400V;RBE= 10Ω;TC=100℃ VCE= 400V;VBE= -1.5V VCE= 400V;VBE= -1.5V;TC=100℃ VEB= 5V; IC= 0 mA ICEV Collector Cutoff Current mA IEBO Emitter Cutoff Current mA isc Website：www.iscsemi.cn

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BUV42A

1. 物料型号：BUV42A，这是一个NPN型功率晶体管。

2. 器件简介： - 低集电极饱和电压：V_{CE(sat)}=0.9V（最大值）@ I_{C}=4A。 - 高开关速度。

3. 引脚分配： - PIN 1: BASE（基极）。 - PIN 2: EMITTER（发射极）。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值（Ta=25°C）： - VcEV（集电极-发射极电压VBE=-1.5V）：400V - VCEO（集电极-发射极电压）：300V - VEBO（发射极-基极电压）：7V - Ic（集电极连续电流）：12A - IcM（集电极峰值电流）：18A - Ib（基极连续电流）：2.5A - IBM（基极峰值电流）：4A - Pc（集电极耗散功率@Tc=25°C）：120W - TJ（结温）：200°C - Tstg（存储温度范围）：-65~200°C

5. 功能详解： - 电气特性（T_{C}=25°C，除非另有说明）： - VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：Ic=0.2A; IB=0; L=25mH，300V - V(BR)EBO（发射极-基极击穿电压）：Ic=50mA; Ic=0，7V - VcE(sat)（集电极-发射极饱和电压）：Ic=4A; IB=0.4A，0.9V - VBE(sat)（基极-发射极饱和电压）：Ic=4A; IB=0.4A，1.3V - ICER（集电极截止电流）：VcE=400V; RBE=10Ω; Tc=100°C，0.5~2.5mA - IcEV（集电极截止电流）：VcE=400V; VBE=-1.5V; Tc=100°C，0.5~2.0mA - IEBO（发射极截止电流）：VEB=5V; Ic=0，1.0mA

6. 应用信息： - 设计用于高电流、高速、高功率应用。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-3，具体的封装尺寸参数如下： - A: 39.00mm - B: 25.30~26.67mm - C: 7.80~8.30mm - D: 0.90~1.10mm - E: 1.40~1.60mm - G: 10.92mm - H: 5.46mm - K: 11.40~13.50mm - L: 16.75~17.05mm - N: 19.40~19.62mm - Q: 4.00~4.20mm - U: 30.00~30.20mm - V: 4.30~4.50mm

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