BUV46FI

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BUV46FI - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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BUV46FI 数据手册

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV46FI DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS)= 400V(Min.) ·High Speed Switching APPLICATIONS ·Designed for high voltage, fast switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) SYMBOL VCES VCEX VCEO VEBO IC IB B PARAMETER Collector-Emitter Voltage VBE= 0 Collector-Emitter Voltage VBE= -2.5V Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE 850 850 400 7 5 3 30 150 -65~150 UNIT V V V V A A W ℃ ℃ PC Tj Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance, Junction to Case MAX 4.12 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEO(SUS) VCE(sat)-1 VCE(sat)-2 VBE(sat) ICER ICEX IEBO PARAMETER Collector-Emitter Sustaining Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage CONDITIONS IC= 0.1A; IB= 0 IC= 2.5A; IB= 0.5A MIN 400 BUV46FI TYP. MAX UNIT V 1.5 V Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 3.5A; IB= 0.7A 5.0 V Base-Emitter Saturation Voltage Collector Cutoff Current Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current IC= 2.5A; IB= 0.5A VCE= 850V; RBE=10Ω VCE= 850V; RBE=10Ω;TC=125℃ VCE= 850V; VBE=-2.5V VCE= 850V; VBE=-2.5V;Tj= 125℃ VEB= 7V; IC= 0 1.3 0.1 1.0 0.3 2.0 1.0 V mA mA mA Switching Times ton ts tf Turn-on Time Storage Time Fall Time IC= 2.5A;IB1=-IB2= 0.5A;VCC= 150V 1.0 3.0 0.8 μs μs μs isc Website：www.iscsemi.cn

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BUV46FI

1. 物料型号：BUV46FI，这是INCHANGE Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管。

2. 器件简介：BUV46FI是一个为高电压、快速开关应用设计的硅NPN功率晶体管。具有400V的最小集电极-发射极承受电压（VCEO(SUS)）。

3. 引脚分配：引脚1为基极（BASE），引脚2为集电极（COLLECTOR），引脚3为发射极（EMITTER）。该晶体管使用TO-220F封装。

4. 参数特性： - 集电极-发射极电压（VCEO）：400V - 发射极-基极电压（VEBO）：7V - 集电极电流（Ic）：连续5A - 基极电流（IB）：连续3A - 集电极功耗（Pc）：在25°C时为30W - 结温（Tj）：150°C - 存储温度范围（Tstg）：-65°C至150°C

5. 功能详解：BUV46FI具有快速开关能力，适用于需要高电压和快速开关的应用场景。文档中提供了详细的电气特性参数，如集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压、集电极截止电流等。

6. 应用信息：适用于高电压、快速开关的应用。

7. 封装信息：晶体管采用TO-220F封装，具体的封装尺寸参数如下： - A: 14.95mm至15.05mm - B: 10.00mm至10.10mm - C: 4.40mm至4.60mm - D: 0.75mm至0.80mm - 等等，其他尺寸参数也已列出。

8. 热特性：结到封装的热阻（Rth j-c）最大为4.12°C/W。

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