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BUV48

BUV48

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    BUV48 - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BUV48 数据手册
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Voltage Capability ·High Current Capability ·Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high-voltage,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are particulary suited for line-operated swtchmode applications such as: ·Switching regulators ·Inverters ·Solenoid and relay drivers ·Motor controls ·Deflection circuits Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCEX VCEO VEBO IC ICM IB B BUV48 PARAMETER Collector-Emitter Voltage (VBE= -1.5V) Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current-Continuous Base Current-peak Collector Power Dissipation @TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE 850 400 7 15 30 5 20 150 175 -65~175 UNIT V V V A A A A W ℃ ℃ IBM PC Tj Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case MAX 1.0 UNIT ℃/W isc Website:www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEO(SUS) V(BR)EBO VCE(sat)-1 VCE (sat)-2 VBE(sat) ICER ICEX IEBO hFE COB PARAMETER Collector-Emitter Sustaining Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Collector Cutoff Current Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current DC Current Gain Output Capacitance CONDITIONS IC= 0.2A ; IB= 0; L= 25mH IE= 50mA; IC= 0 IC= 10A; IB= 2A IC= 10A; IB= 2A;TC= 100℃ IC= 15A ;IB= 3A IC= 10A; IB= 2A IC= 10A; IB= 2A;TC= 100℃ VCE=rated VCER; RBE= 10Ω VCE=rated VCER; RBE= 10Ω;TC=125℃ VCE=rated VCES; VBE(off)= 1.5V VCE=rated VCES; VBE(off)= 1.5V;TC=125℃ VEB= 5V; IC= 0 IC= 10A ; VCE= 5V IE= 0; VCB= 10V, ftest= 1MHz 8 MIN 400 7 BUV48 MAX UNIT V V 1.5 2.0 5.0 1.6 1.6 0.5 3.0 0.2 2.0 0.1 V V V mA mA mA 350 pF Switching times Resistive Load ton ts tf Turn-on Time Storage Time Fall Time IC= 10A ;IB1=-IB2= 2A; VCC= 300V VBE(off)= 5V,Duty Cycle≤2% 0.9 2.0 0.4 μs μs μs isc Website:www.iscsemi.cn
BUV48
1. 物料型号: - 型号为BUV48。

2. 器件简介: - BUV48是一种硅NPN功率晶体管,具有高电压、高电流能力和快速开关速度的特点,适用于高电压、高速、功率开关的感性电路,特别是在下降时间至关重要的应用中。特别适合用于线路操作的开关模式应用,例如开关调节器、逆变器、电磁阀和继电器驱动器、电机控制和偏转电路。

3. 引脚分配: - PIN 1: 基极(BASE) - PIN 2: 集电极(COLLECTOR) - PIN 3: 发射极(EMITTER) - 封装为TO-3PN。

4. 参数特性: - 绝对最大额定值(Ta=25℃): - 集电极-发射极电压(VCEO):400V - 集电极电流-连续(Ic):15A - 集电极功率耗散@Tc=25°C(Pc):150W - 结温(TJ):175℃ - 存储温度范围(Tstg):-65~175℃

5. 功能详解: - 电气特性(Tc=25°C除非另有说明): - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):在不同条件下有不同的值,例如在Ic=10A时为1.5-2.0V,在Ic=15A时为5.0V。 - 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)):在不同条件下为1.6V。 - 直流电流增益(hFE):8。 - 输出电容(COB):350pF。 - 开关时间:开通时间(ton)0.9μs,存储时间(ts)2.0μs,下降时间(tf)0.4μs。

6. 应用信息: - 适用于需要高电压、高速、功率开关的感性电路,特别是在下降时间至关重要的应用中。特别适合用于线路操作的开关模式应用。

7. 封装信息: - 封装为TO-3PN,具有特定的尺寸参数,例如: - A: 19.90-20.10mm - B: 15.50-15.70mm - C: 4.70-4.90mm - 等等。
BUV48 价格&库存

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BUV48A
    •  国内价格
    • 1+14.72823
    • 10+14.18274
    • 100+12.54627
    • 500+12.21898

    库存:8