BUV82

BUV82

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    BUV82 - isc Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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BUV82 数据手册
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUV82/83 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS) = 400V(Min)-BUV82 = 450V(Min)-BUV83 ·High Switching Speed APPLICATIONS ·Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BUV82 BUV83 BUV82 VCEO Collector-Emitter Voltage BUV83 VEBO IC ICM IB B VALUE 850 UNIT VCES Collector- Emitter Voltage VBE=0 V 1000 400 V 450 10 6 10 2 3 100 150 -65~150 V A A A A W ℃ ℃ Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current-Continuous Base Current-Peak Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range IBM PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance, Junction to Case MAX 1.25 UNIT ℃/W isc Website:www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN BUV82/83 TYP. MAX UNIT BUV82 VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage BUV83 IC= 0.1A ;IB= 0; L=25 mH B 400 V 450 VCE(sat)-1 VCE(sat)-2 VBE(sat)-1 VBE(sat)-2 ICES Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 2.5A; IB= 0.5A 1.5 V Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 1.25A B 3.0 V Base-Emitter Saturation Voltage IC= 2.5A; IB= 0.5A 1.4 V Base-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 1.25A B 1.6 1 2 10 v Collector Cutoff Current VCE= VCESmax;VBE= 0 VCE= VCESmax;VBE= 0; TJ= 125℃ VEB= 10V; IC=0 mA IEBO Emitter Cutoff Current mA hFE DC Current Gain IC= 0.6A; VCE= 5V 22 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 0.2A ; VCE= 10V;ftest= 1MHz 6 MHz Switching Times; Resistive Load μs μs μs ton ts tf Turn-On Time IC= 2.5A; IB1= 0.5A;IB2= -1.0A; VCC= 250V 0.3 0.6 Storage Time 2.0 3.5 Fall Time 0.3 0.75 isc Website:www.iscsemi.cn 2
BUV82
1. 物料型号: - 型号为isc Silicon NPN Power Transistors,具体型号为BUV82/83。

2. 器件简介: - 该器件为硅NPN功率晶体管,具有高开关速度,适用于转换器、逆变器、开关稳压器、电机控制系统和开关应用。

3. 引脚分配: - 引脚1:基极(BASE) - 引脚2:集电极(COLLECTOR) - 引脚3:发射极(EMITTER)

4. 参数特性: - 集电极-发射极维持电压(VCEO(SUS)):BUV82为400V,BUV83为450V。 - 集电极-发射极电压(VCEO):BUV82为400V,BUV83为450V。 - 发射极-基极电压(VEBO):10V。 - 集电极电流-连续(Ic):6A。 - 集电极电流-峰值(ICM):10A。 - 基极电流-连续(lB):2A。 - 基极电流-峰值(IBM):3A。 - 集电极功耗耗散(Pc):100W。 - 结温(TJ):150°C。 - 存储温度范围(Tstg):-65~150°C。

5. 功能详解应用信息: - 设计用于转换器、逆变器、开关稳压器、电机控制系统和开关应用。

6. 封装信息: - 封装类型为TO-3PN。 - 提供了详细的封装尺寸参数,包括最小值和最大值。
BUV82 价格&库存

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