BUW13AW

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BUW13AW - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

数据手册：

下载BUW13AW.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

BUW13AW 数据手册

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-247 package ・High voltage,high speed APPLICATIONS ・Converters ・Inverters ・Switching regulators ・Motor control systems PINNING (See Fig.2) PIN 1 2 3 Base Collector DESCRIPTION BUW13W BUW13AW Fig.1 simplified outline (TO-247) and symbol Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO PARAMETER BUW13W Collector-base voltage BUW13AW BUW13W VCEO VEBO IC ICM IB IBM PT Tj Tstg Collector-emitter voltage BUW13AW Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Base current-peak Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base 450 9 15 30 6 9 175 150 -65~150 V A A A A W ℃ ℃ Open emitter 1000 400 V CONDITIONS VALUE 850 V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-mb PARAMETER Thermal resistance from junction to mounting base MAX 0.7 UNIT K/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BUW13W VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage BUW13AW BUW13W VCEsat Collector-emitter saturation voltage BUW13AW BUW13W VBEsat Base-emitter saturation voltage BUW13AW ICES IEBO hFE-1 hFE-2 Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain IC=8A; IB=1.6A VCE=Rated VCES; VBE=0 Tj=125℃ VEB=9V; IC=0 IC=20mA ; VCE=5V IC=1.5A ; VCE=5V IC=8A; IB=1.6A IC=10A; IB=2A IC=10A; IB=2A IC=0.1A ; IB=0; L=25mH CONDITIONS BUW13W BUW13AW MIN 400 TYP. MAX UNIT V 450 1.5 V 1.6 V 1.0 4.0 10 10 10 35 35 mA mA Switching times resistive load ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time For BUW13AW IC=8A ;IB1=-IB2=-1.6A 1.0 4.0 0.8 μs μs μs For BUW13W IC=10A ;IB1=-IB2=-2A 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BUW13W BUW13AW Fig.2 Outline dimensions 3

下载 PDF

BUW13AW

1. 物料型号： - BUW13W - BUW13AW

2. 器件简介： - 这些是硅NPN功率晶体管，具有TO-247封装，高电压和高速特性。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：集电极（Collector） - 3号引脚：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - VCBO（集电极-基极电压）：BUW13W为850V，BUW13AW为1000V - VCEO（集电极-发射极电压）：BUW13W为400V，BUW13AW为450V - VEBO（发射极-基极电压）：9V - Ic（集电极电流）：15A - ICM（集电极峰值电流）：30A - Ib（基极电流）：6A - IBM（基极峰值电流）：9A - Pr（总功率耗散）：175W - TJ（结温）：150°C - Tstg（存储温度）：-65至150°C - 热特性： - Rth j-mb（从结到安装基座的热阻）：0.7 K/W - 特性（在Tj=25℃下，除非另有说明）： - VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：BUW13W为400V，BUW13AW为450V - VcEsat（集电极-发射极饱和电压）：BUW13W为1.5V，BUW13AW为1.5V - VBEsat（基极-发射极饱和电压）：BUW13W为1.6V，BUW13AW为1.6V - ICES（集电极截止电流）：1.0至4.0 mA - EBO（发射极截止电流）：10 mA - hFE-1（直流电流增益）：在Ic=20mA; VcE=5V时为10至35 - hFE-2（直流电流增益）：在Ic=1.5A; VcE=5V时为10至35 - 开关时间（电阻负载）： - ton（开通时间）：BUW13W为1.0s，BUW13AW为1.0s - ts（存储时间）：4.0s - t1（下降时间）：0.8s

5. 功能详解： - 这些晶体管适用于转换器、逆变器、开关稳压器和电机控制系统等应用。

6. 应用信息： - 适用于高电压、高速的功率控制和转换应用。

7. 封装信息： - TO-247封装，具体尺寸见图2。

BUW13AW 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“BUW13AW”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货

搜索历史

BUW13AW

相关技术文章