BUW64C

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BUW64C - isc Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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BUW64C 数据手册

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS) = 90V(Min)- BUW64A = 110V(Min)- BUW64B = 130V(Min)- BUW64C ·High Switching Speed ·Low Saturation Voltage APPLICATIONS ·Designed for converters, inverters, pulse-width-modulated regulators and a variety of power switching circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BUW64A VCEV Collector-Emitter Voltage VBE= -1.5V BUW64B BUW64C BUW64A VCEO(SUS) Collector-Emitter Voltage BUW64B BUW64C VEBO IC ICM IC PC TJ Tstg Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current-Continuous Collector Power Dissipation@TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature VALUE 140 160 180 90 110 130 7 7 10 5 50 150 -65~150 V A A A W ℃ ℃ V V UNIT BUW64A/B THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance, Junction to Case MAX 2.5 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BUW64A VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage BUW64B BUW64C BUW64A/B BUW64C IC= 5A; IB= 0.5A B BUW64A/B CONDITIONS MIN 90 TYP. MAX UNIT IC= 10mA ; IB= 0 110 130 0.8 V VCE(sat)-1 Collector-Emitter Saturation Voltage V IC= 4A; IB= 0.4A B 0.7 0.8 1.4 V 1.4 0.1 1.0 0.1 1.0 0.1 1.0 0.1 30 20 20 50 50 150 pF MHz mA mA V VCE(sat)-2 Collector-Emitter Saturation Voltage BUW64A/B BUW64C BUW64A IC= 7A; IB= 0.7A B VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 5A; IB= 0.5A B IC= 4A; IB= 0.4A B VCE= 140V;VBE= -1.5V VCE=140V;VBE= -1.5V,TC= 150℃ VCE= 160V;VBE= -1.5V VCE= 160V;VBE= -1.5V,TC= 150℃ VCE= 180V;VBE= -1.5V VCE= 180V;VBE= -1.5V,TC= 150℃ VEB= 7V; IC=0 IC= 0.2A ; VCE= 2V ICEV Collector Cutoff Current BUW64B BUW64C IEBO hFE-1 Emitter Cutoff Current DC Current Gain BUW64/A IC= 5A ; VCE= 2V IC= 4A ; VCE= 2V IE= 0 ;VCB= 10V; f= 0.1MHz IC= 0.5A ;VCE= 10V hFE-2 DC Current Gain BUW64B COB fT Output Capacitance Current-Gain—Bandwidth Product Switching Times td tr tstg tf Delay Time Rise Time Storage Time Fall Time For BUW64C IC= 4A; IB1= -IB2= 0.4A 0.1 0.25 1.0 0.5 μs μs μs μs VCC= 70V; tp= 20μs For BUW64A/B IC= 5A; IB1= -IB2= 0.5A isc Website：www.iscsemi.cn 2

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BUW64C

1. 物料型号： - 型号为BUW64A/B，分别对应不同的集电极-发射极维持电压（VCEO(SUS)）：BUW64A为90V，BUW64B为110V，BUW64C为130V。

2. 器件简介： - 该器件为NPN型功率晶体管，具有高开关速度和低饱和电压的特点。

3. 引脚分配： - 引脚1为基极（BASE），引脚2为集电极（COLLECTOR），引脚3为发射极（EMITTER）。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值包括：集电极-发射极电压（VCEO(SUS)）90V/110V/130V，集电极电流连续（Ic）7A，集电极电流峰值（IcM）10A，基极电流连续（Ib）5A，集电极功耗（Pc）50W，结温（TJ）150°C，存储温度（Tstg）-65~150°C。

5. 功能详解： - 器件设计用于转换器、逆变器、脉宽调制调节器和各种功率开关电路。

6. 应用信息： - 适用于转换器、逆变器、脉宽调制调节器和多种功率开关电路。

7. 封装信息： - 封装为TO-220C，具体尺寸参数包括：A（15.70-15.90mm），B（9.90-10.10mm），C（4.20-4.40mm），D（0.70-0.90mm），F（3.40-3.60mm），G（4.98-5.18mm），H（2.70-2.90mm），J（0.44-0.46mm），K（13.20-13.40mm），L（1.10-1.30mm），Q（2.70-2.90mm），R（2.50-2.70mm），S（1.29-1.31mm），U（6.45-6.65mm），V（8.66-8.86mm）。

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