BUX17A

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BUX17A - isc Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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BUX17A 数据手册

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS) = 150V(Min)- BUX17 = 250V(Min)- BUX17A = 300V(Min)- BUX17B = 350V(Min)- BUX17C ·High Switching Speed ·High Power Dissipation APPLICATIONS ·Designed for use in off-line power supplies and is also well suited for use in a wide range of inverter or converter circuits and pulse-width-modulated regulators. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BUX17 VCEV Collector-Emitter Voltage VBE= -1.5V BUX17A BUX17B BUX17C BUX17 BUX17A VCEO(SUS) Collector-Emitter Voltage BUX17B BUX17C VEBO IC IB B BUX17/A/B/C VALUE 250 350 UNIT V 400 450 150 250 V 300 350 6 10 2 150 200 -65~200 V A A W ℃ ℃ Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Base Current-Continuous Collector Power Dissipation@TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case MAX 1.17 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BUX17 BUX17A IC= 200mA ; IB= 0 BUX17B BUX17C V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage BUX17/A BUX17B/C BUX17/A BUX17B/C BUX17 BUX17A BUX17B BUX17C IEBO Emitter Cutoff Current BUX17/A hFE DC Current Gain BUX17B/C fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 8A ; VCE= 3V IC= 0.5A ;VCE= 10V IE= 1mA ; IC= 0 IC= 10A; IB= 2A IC= 8A; IB= 1.5A B BUX17/A/B/C CONDITIONS MIN 150 250 TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage V 300 350 6 2.0 V 2.0 4 V 3.5 3 10 3 10 3 5 3 5 1.0 mA V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= 10A ; VCE= 3V IC= 8A ; VCE= 3V VCE= 250V;VBE= -1.5V VCE= 250V;VBE= -1.5V,TC= 150℃ VCE= 350V;VBE= -1.5V VCE= 350V;VBE= -1.5V,TC= 150℃ VCE= 400V;VBE= -1.5V VCE= 400V;VBE= -1.5V,TC= 150℃ VCE= 450V;VBE= -1.5V VCE= 450V;VBE= -1.5V,TC= 150℃ VEB= 6V; IC=0 IC= 10A ; VCE= 3V 7 ICEV Collector Cutoff Current mA 2.5 MHz isc Website：www.iscsemi.cn 2

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BUX17A

物料型号： - BUX17/A/B/C是NPN型功率晶体管。

器件简介： - 这些晶体管具有高开关速度和高功耗能力，适用于离线电源供应、逆变器或转换器电路以及脉宽调制调节器。

引脚分配： - PIN 1: 基极（BASE） - PIN 2: 发射极（EMITTER） - PIN 3: 集电极（COLLECTOR）

参数特性： - 集电极-发射极击穿电压（VCEO(SUS)）：BUX17为150V，BUX17A为250V，BUX17B为300V，BUX17C为350V。 - 发射极-基极电压（VEBO）：6V。 - 集电极电流（Ic）：连续电流10A。 - 基极电流（Ib）：连续电流2A。 - 集电极功耗耗散（Pc）：150W@Tc=25°C。 - 结温（TJ）：200°C。 - 存储温度（Tstg）：-65°C至200°C。

功能详解： - 这些晶体管设计用于离线电源供应，并适用于广泛的逆变器或转换器电路和脉宽调制调节器。

应用信息： - 适用于离线电源供应和逆变器或转换器电路。

封装信息： - TO-3 封装，具体封装尺寸参数如下： - A: 39.00mm - B: 25.30mm至26.67mm - C: 7.80mm至8.30mm - D: 0.90mm至1.10mm - E: 1.40mm至1.60mm - G: 10.92mm - H: 5.46mm - K: 11.40mm至13.50mm - L: 16.75mm至17.05mm - N: 19.40mm至19.62mm - O: 4.00mm至4.20mm - U: 30.00mm至30.20mm - V: 4.30mm至4.50mm - 热阻（Rth j-c）：1.17°C/W。

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