BUX67A

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BUX67A - isc Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·Contunuous Collector Current-IC= 2A ·Power Dissipation-PD=35W @TC= 25℃ ·Collector-Emitter Saturation Voltage: VCE(sat)= 2.5V(Max)@ IC = 1A APPLICATIONS ·Designed for high-speed switching and linear amplifier application for high-voltage operational amplifiers, switching regulators, converters,deflection stages and high fidelity amplifiers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BUX67 BUX67A VCBO Collector-Base Voltage BUX67B BUX67C BUX67 BUX67A VCEO Collector-Emitter Voltage BUX67B BUX67C VEBO IC ICP IB B BUX67/A/B/C VALUE 200 300 UNIT V 350 400 150 250 V 300 350 6 2.0 5.0 1.0 35 200 -65~200 V A A A W ℃ ℃ Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current Collector Power Dissipation@TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature PC TJ Tstg isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BUX67 BUX67A VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage BUX67B BUX67C VCE(sat) VBE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage BUX67 BUX67A ICBO Collector Cutoff Current BUX67B BUX67C IEBO hFE fT Emitter Cutoff Current DC Current Gain Current Gain-Bandwidth Product VCB= 300V; IE= 0 VCB= 350V; IE= 0 VEB= 6V; IC=0 IC= 1A ; VCE= 5V IC= 0.5A ; VCE= 10V 10 IC= 1A; IB= 0.15A B BUX67/A/B/C CONDITIONS MIN 150 250 TYP. MAX UNIT IC=200mA ; IB=0 300 350 2.5 1.4 1.0 1.0 V V V IC= 1A; IB= 0.15A B VCB= 150V; IE= 0 VCB= 250V; IE= 0 mA 1.0 1.0 0.5 150 25 MHz mA isc Website：www.iscsemi.cn 2

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BUX67A

1. 物料型号： - BUX67/A/B/C是NPN型功率晶体管。

2. 器件简介： - 这些晶体管具有连续集电极电流IC=2A，功率耗散PD=35W@TC=25℃，集电极-发射极饱和电压VCE(sat)=2.5V(Max)@IC=1A。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（BASE） - 引脚2：发射极（EMITTER） - 引脚3：集电极（COLLECTOR，同时与外壳相连）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压VCBO：BUX67为200V，BUX67A为300V，BUX67B为350V，BUX67C为400V。 - 集电极-发射极电压VCEO：BUX67为150V，BUX67A为250V，BUX67B为300V，BUX67C为350V。 - 发射极-基极电压VEBO：6V。 - 集电极电流-连续IC：2.0A。 - 集电极电流-峰值IcP：5.0A。 - 基极电流IB：1.0A。 - 集电极耗散功率Pc@Tc=25°C：35W。 - 结温TJ：200℃。 - 存储温度Tstg：-65~200℃。

5. 功能详解： - 设计用于高速开关和线性放大应用，适用于高压运算放大器、开关稳压器、转换器、偏转级和高保真放大器。

6. 应用信息： - 适用于高速开关和线性放大应用，特别是在高压运算放大器、开关稳压器、转换器、偏转级和高保真放大器中。

7. 封装信息： - TO-66封装，具体尺寸参数如下： - A：31.40mm至31.80mm - B：17.30mm至17.70mm - C：6.70mm至7.10mm - D：0.70mm至0.90mm - E：1.40mm至1.60mm - G：5.08mm - H：2.54mm - K：9.80mm至10.20mm - L：14.70mm至14.90mm - N：12.40mm至12.60mm - O：3.60mm至3.80mm - U：24.30mm至24.50mm - V：3.50mm至3.70mm

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