BUY69A

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BUY69A - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUY69A BUY69B BUY69C DESCRIPTION ・With TO-3 package ・High voltage capability APPLICATIONS ・For horizontal deflection output stage of CTV receivers and high voltalge, fast switching and industrial applications PINNING (See Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Collector DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BUY69A VCBO Collector-base voltage BUY69B BUY69C BUY69A VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage BUY69B BUY69C VEBO IC ICM IB PD Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 1000 800 500 400 325 200 8 10 15 3.0 100 200 -65~200 V A A A W ℃ ℃ V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance from junction to case MAX 1.75 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BUY69A VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage BUY69B BUY69C BUY69A VCBO Collector-base voltage BUY69B BUY69C VCEsat VBEsat ICES IEBO hFE fT Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency IC=8A ;IB=2.5A IC=8A ;IB=2.5A IC=1mA; IE=0 IC=100mA ; IB=0 BUY69A BUY69B BUY69C CONDITIONS MIN 400 325 200 1000 800 500 TYP. MAX UNIT V V 3.3 2.2 1.0 1.0 15 10 V V mA mA VCE=rated VCES; VBE=0 VEB=8V; IC=0 IC=2.5A ; VCE=10V IC=0.5A ; VCE=10V;f=1MHz MHz Switching times tr ts tf Rise time Storage time Fall time IC=5A ;IB1=-IB2=1.0A; VCC=250V 0.3 1.8 1.0 μs μs μs 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BUY69A BUY69B BUY69C Fig.2 Outline dimensions 3

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BUY69A

1. 物料型号： - BUY69A、BUY69B、BUY69C

2. 器件简介： - 这些是硅NPN功率晶体管，具有TO-3封装和高电压能力。适用于CTV接收器的水平偏转输出级以及高电压、快速开关和工业应用。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：发射极（Emitter） - 3号引脚：集电极（Collector）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值（Ta=25°C）： - VCBO（集电极-基极电压）：BUY69A为1000V，BUY69B为800V，BUY69C为500V。 - VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：BUY69A为400V，BUY69B为325V，BUY69C为200V。 - VEBO（发射极-基极电压）：8V。 - Ic（集电极电流）：10A。 - ICM（集电极峰值电流）：15A。 - 1B（基极电流）：3.0A。 - PD（总功率耗散）：100W。 - T（结温）：200°C。 - Tstg（存储温度）：-65至200°C。

5. 功能详解： - 包括热阻（Rthjc）：从结到外壳的热阻为1.75°C/W。 - 特性（Tj=25℃）： - VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：BUY69A为400V，BUY69B为325V，BUY69C为200V。 - VCBO（集电极-基极电压）：BUY69A为1000V，BUY69B为800V，BUY69C为500V。 - VcEsat（集电极-发射极饱和电压）：3.3V。 - VBEsat（基极-发射极饱和电压）：2.2V。 - IcES（集电极截止电流）：1.0mA。 - IEBO（发射极截止电流）：1.0mA。 - hFE（直流电流增益）：15。 - fr（过渡频率）：10MHz。 - 开关时间： - 上升时间：0.3μs。 - 存储时间：1.8μs。 - 下降时间：1.0μs。

6. 应用信息： - 适用于CTV接收器的水平偏转输出级以及高电压、快速开关和工业应用。

7. 封装信息： - TO-3封装，具体尺寸和符号见图2。

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