BUZ73A

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
TO-220-3
描述：
isc N沟道MOSFET晶体管TO220C VDS=200V VGS=±20V ID=5.8A

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BUZ73A 数据手册

isc Product Specification INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor BUZ73A DESCRIPTION ·Drain Current –ID= 5.8A@ TC=37℃ ·Drain Source Voltage: VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.6Ω(Max) ·Fast Switching Speed ·Low Drive Requirement APPLICATIONS ·switching regulators, switching converters ·motor drivers,relay drivers and drivers for high-power Bipolar switching transistors reguiring high speed and gate-driver power. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 200 V VGS Gate-Source Voltage ±20 V Drain Current-continuous@ TC=37℃ 5.8 A Total Dissipation@TC=25℃ 40 W Max. Operating Junction Temperature -55~150 ℃ Storage Temperature Range -55~150 ℃ ID Ptot Tj Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 3.1 ℃/W Rth j-a Thermal Resistance,Junction to Ambient 75 ℃/W isc website：www.iscsemi.cn PDF pdfFactory Pro 1 isc & iscsemi is registered trademark www.fineprint.cn isc Product Specification INCHANGE Semiconductor isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ73A ·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0; ID= 0.25mA 200 VGS(TH) Gate Threshold Voltage VDS= VGS; ID= 1mA 2.1 RDS(ON) Drain-Source On-stage Resistance IGSS MAX UNIT V 4 V VGS= 10V; ID= 3.5A 0.6 Ω Gate Source Leakage Current VGS= ±20V;VDS= 0 ±100 nA IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= 200V; VGS= 0 250 uA VSD Diode Forward Voltage IF= 11.6A; VGS= 0 1.7 V isc website：www.iscsemi.cn PDF pdfFactory Pro 2 isc & iscsemi is registered trademark www.fineprint.cn

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BUZ73A

PDF文档中提到的物料型号为“isc N-Channel MOSFET Transistor BUZ73A”。

以下是该器件的详细信息：

器件简介： - 型号：isc N-Channel MOSFET Transistor BUZ73A - 类型：N-Channel MOSFET - 封装：TO-220C package - 应用领域：开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和门驱动功率的高功率双极型开关晶体管驱动器。

引脚分配： - 1. Gate (G) - 2. Drain (D) - 3. Source (S)

参数特性： - 漏极电流（ID）：在37℃时为5.8A - 漏极-源极电压（VDSS）：最小值为200V - 静态漏极-源极导通电阻（RDS(on)）：最大值为0.6Ω - 快速开关速度 - 低驱动需求

功能详解： - 具有快速开关速度和低驱动需求 - 适用于需要高速度和门驱动功率的应用

应用信息： - 适用于开关调节器、开关转换器 - 电机驱动器、继电器驱动器 - 高功率双极型开关晶体管驱动器

封装信息： - TO-220C封装 - 热特性参数：包括热阻和尺寸参数

绝对最大额定值和电气特性参数也在文档中详细列出，包括漏极-源极电压、栅极-源极电压、漏极连续电流、总耗散功率、最大工作结温、存储温度范围等。

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