IRF630

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
IRF630 - N-channel mosfet transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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IRF630 数据手册

MOSFET INCHANGE IRF630 N-channel mosfet transistor Features ・With TO-220 package ・Low on-state and thermal resistance ・Fast switching ・VDSS=200V; RDS(ON)≤0.4Ω;ID=9A ・1.gate 2.drain 3.source 123 Absolute Maximum Ratings Tc=25℃ SYMBOL VDSS VGS ID Ptot Tj Tstg PARAMETER Drain-source voltage (VGS=0) Gate-source voltage Drain Current-continuous@ TC=25℃ Total Dissipation@TC=25℃ Max. Operating Junction temperature Storage temperature RATING 200 ±20 9 74 150 -65~150 UNIT V V A W ℃ ℃ TO-220 Electrical Characteristics Tc=25℃ SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN MAX UNIT V(BR)DSS VGS(TH) RDS(ON) IGSS IDSS VSD Drain-source breakdown voltage Gate threshold voltage Drain-source on-stage resistance Gate source leakage current Zero gate voltage drain current Diode forward voltage VGS=0; ID=0.25mA VDS= VGS; ID=1mA VGS=10V; ID=5.4A VGS=±20V;VDS=0 VDS=200V; VGS=0 IF=9A; VGS=0 200 2 4 400 ±100 V V mΩ nA uA V 10 1.2

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IRF630

1. 物料型号： - 型号：IRF630

2. 器件简介： - IRF630是一种N沟道MOSFET晶体管，具有TO-220封装，低导通和低热阻特性，适用于需要快速开关的应用。

3. 引脚分配： - 1. gate（栅极） - 2. drain（漏极） - 3. source（源极）

4. 参数特性： - 漏源电压（Vpss）：200V - 栅源电压（VGs）：±20V - 漏极电流（ID）：连续9A - 总功耗（Ptot）：74W - 最大工作结温（TJ）：150°C - 存储温度（Tstg）：-65~150°C

5. 功能详解： - 快速开关特性，低导通电阻和低热阻，使得IRF630非常适合需要高效率开关的场合。

6. 应用信息： - 适用于高效率开关应用，如电源、电机控制等。

7. 封装信息： - 封装类型：TO-220 - 电气特性中还提到了漏源击穿电压、栅极阈值电压、导通电阻、栅源漏电流、零栅压漏极电流和二极管正向电压等参数。

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