IRF730

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
IRF730 - N-channel mosfet transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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IRF730 数据手册

MOSFET INCHANGE IRF730 N-channel mosfet transistor Features ・With TO-220 package ・Simple drive requirements ・Fast switching ・VDSS=400V; RDS(ON)≤1.0Ω;ID=5.5A ・1.gate 2.drain 3.source 123 Absolute Maximum Ratings Tc=25℃ SYMBOL VDSS VGS ID Ptot Tj Tstg PARAMETER Drain-source voltage (VGS=0) Gate-source voltage Drain Current-continuous@ TC=25℃ Total Dissipation@TC=25℃ Max. Operating Junction temperature Storage temperature RATING 400 ±20 5.5 74 150 -65~150 UNIT V V A W ℃ ℃ TO-220 Electrical Characteristics Tc=25℃ SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN MAX UNIT V(BR)DSS VGS(TH) RDS(ON) IGSS IDSS VSD Drain-source breakdown voltage Gate threshold voltage Drain-source on-stage resistance Gate source leakage current Zero gate voltage drain current Diode forward voltage VGS=0; ID=0.25mA VDS= VGS; ID=0.25mA VGS=10V; ID=3.3A VGS=±20V;VDS=0 VDS=400V; VGS=0 IF=5.5A; VGS=0 400 2 4 1.0 ±100 V V Ω nA uA V 25 1.6

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IRF730

物料型号： - MOSFET IRF730

器件简介： - N-channel mosfet transistor，即N沟道MOSFET晶体管，具有TO-220封装，简单驱动要求，快速开关特性。

引脚分配： - 1. gate（栅极） - 2. drain（漏极） - 3. source（源极）

参数特性： - 漏源电压(V_DSS)：400V - 漏源导通电阻(R_DS(ON))：≤1.0Ω - 漏极电流(I_D)：5.5A

功能详解： - 绝对最大额定值： - 环境温度(Tc)：25°C - 漏源电压(VDss)：400V - 栅源电压(VGs)：±20V - 漏极电流(Io)：5.5A - 总功耗(Ptot)：74W - 最大工作结温(Tj)：150°C - 存储温度(Tstg)：-65~150°C

应用信息： - 该MOSFET适用于需要高电压、低导通电阻和较大电流的应用场合。

封装信息： - TO-220封装。

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