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SGSF313

SGSF313

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    SGSF313 - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
SGSF313 数据手册
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor SGSF313 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS)= 450V(Min) ·High Switching Speed ·Low Saturation Voltage APPLICATIONS ·Designed to be used as switch in high efficency off-line (220V mains) switching power supplies for consumer applications like sets VCR’s and monitors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCEX VCES VCEO VEBO IC ICM IB B PARAMETER Collector-Emitter Voltage(VBE= -2.5V) Collector-Emitter Voltage(VBE=0) Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current Base Current-Peak Total Power Dissipation@TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature VALUE 1000 1000 450 10 7 10 3 6 70 150 -65~150 UNIT V V V V A A A A W ℃ ℃ IBM PD Tj Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Rresistance,Junction to Case MAX 1.78 UNIT ℃/W isc Website:www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEO(SUS) VCE(sat)-1 VCE(sat)-2 VCE(sat)-3 VBE(sat)-1 VBE(sat)-2 VBE(sat)-3 ICES ICEO hFE-1 hFE-2 hFE-3 hFE-4 PARAMETER Collector-Emitter Sustaining Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Collector Cutoff Current Collector Cutoff Current DC Current Gain DC Current Gain DC Current Gain DC Current Gain CONDITIONS IC= 0.1A; L= 25mH IC= 1 A ;IB= 0.1A IC= 1 A ;IB= 0.1A ;TC=125℃ IC= 2A ;IB= 0.4 A IC= 2A ;IB= 0.4 A ;TC=125℃ IC= 2.5A ;IB= 0.5 A B SGSF313 MIN 450 TYP. MAX UNIT V 0.5 0.6 0.45 0.8 0.75 1.1 1.25 1.3 0.01 0.1 0.1 12 25 15 28 6 12 10 45 V V V V V V mA mA IC= 1A; IB= 0.1A B IC= 2A; IB= 0.4A B IC= 2.5A; IB= 0.5 A VCE= 1000V;VBE= 0 VCE= 1000V;VBE= 0;TC=125℃ VCE= 450V; IB= 0 IC= 1A ; VCE= 2.5V IC= 1A ; VCE= 2.5V;TC=125℃ IC= 1A ; VCE= 5V IC= 1A ; VCE= 5V;TC=125℃ IC= 2A ; VCE= 1V IC= 2A ; VCE= 1V;TC=125℃ IC= 5mA; VCE= 5V Switching Times; Resistive Load ton tS tf Turn-on Time Storage Time Turn-off Time VCC=250V ,IC=2.5A IB1= 0.5A;IB2= -1A 0.5 1.5 0.18 1 2.5 0.3 μs μs μs isc Website:www.iscsemi.cn
SGSF313
1. 物料型号:型号为STM32F103C8T6,是一款基于ARM Cortex-M3内核的32位微控制器。

2. 器件简介:该器件是意法半导体生产的高性能微控制器,具有多种通信接口和外设,适用于多种嵌入式应用。

3. 引脚分配:该芯片共有48个引脚,包括电源引脚、地引脚、I/O引脚等,具体分配需查看引脚图。

4. 参数特性:工作电压为2.0V至3.6V,工作频率72MHz,内置64KB Flash和20KB RAM。

5. 功能详解:包括GPIO、ADC、定时器、通信接口(UART、SPI、I2C)等模块的详细功能描述。

6. 应用信息:适用于工业控制、医疗设备、消费电子等多种应用场景。
SGSF313 价格&库存

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