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IS28F200BVT-120T

IS28F200BVT-120T

  • 厂商:

    ISSI(芯成半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    IS28F200BVT-120T - 131,072 x 16/262,144 x 8 SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY - Integrated Silico...

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
IS28F200BVT-120T 数据手册
IS28F200BVT-120T
物料型号: - IS28F200BV/BLV

器件简介: - 该数据手册包含了2Mbit启动块闪存的规格,这些带有BV/BLV后缀的产品提供了2.7/3.6V、3.0-3.6V和5V Vcc操作。IS28F200指代所有x8/x16 2Mbit产品。

引脚分配: - 48-Lead TSOP和44-Lead PSOP(JEDEC ROM兼容)两种封装方式。 - 引脚包括地址输入A0-A16、数据输入/输出DQ0-DQ15、芯片使能CE、输出使能OE、写入使能WE、复位/深睡眠模式RP、写保护WP等。

参数特性: - ISSI的SmartVoltage技术提供了两个离散的电压供电引脚:Vcc用于读取操作,Vpp用于编程和擦除操作。 - 提供5V或12V的编程/擦除能力,以及2.7V-3.6V、3.3V±0.3V或5V Vcc下的读取能力。

功能详解: - 分区结构包括一个可硬件锁定的启动块(16,384字节)、两个参数块(各8,192字节)和一个主块(一个96-KB块和一个128-KB块)。 - 启动块位于地址映射的顶部或底部,以适应不同的微处理器协议。 - 参数块用于存储经常更新的小参数,可以通过软件技术模拟EEPROM。 - 主块用于数据或代码存储。

应用信息: - 该产品适用于需要非易失性存储的系统,特别是需要快速读取操作的应用。

封装信息: - 提供48-Lead TSOP和44-Lead PSOP两种封装方式,符合JEDEC ROM标准。
IS28F200BVT-120T 价格&库存

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