IS41C16257C-35TLI

物料型号： - IS41C16257C (5V供电) - IS41LV16257C (3.3V供电)

器件简介： - 这两种芯片是262,144 x 16位高性能CMOS动态随机存取存储器(DRAM)。 - 它们支持快速页面模式，在单行内允许512次随机访问，每个16位字的访问周期时间可短至14纳秒。 - 设计为异步操作，不需要时钟信号输入来同步命令和I/O。

引脚分配： - 40引脚TSOP(Type II)封装。 - 包括地(GND)、电源(VDD)、数据输入/输出(I/O0-I/O15)、地址输入(A0-A8)、写使能(WE)、输出使能(OE)、行地址脉冲(RAS)、列地址脉冲上(UCAS)和下(LCAS)等。

参数特性： - 工作温度范围为-40°C至+85°C。 - 刷新间隔为512个周期或8毫秒。 - 支持多种刷新模式，包括RAS-only、CAS-before-RAS(CBR)和隐藏刷新模式。

功能详解： - 支持字节写入和字节读取操作。 - 通过两个CAS信号控制I/O三态逻辑。 - 电源开启时，需要200微秒的初始暂停，然后至少进行8个初始化周期。

应用信息： - 适用于高带宽图形、数字信号处理、高性能计算系统和外围应用，这些应用不需要时钟来同步DRAM。

封装信息： - 40引脚(400-mil)TSOP(Type II)封装，无铅。