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IS42S16160B-6B

IS42S16160B-6B

  • 厂商:

    ISSI(芯成半导体)

  • 封装:

    LFBGA-54

  • 描述:

    IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54LFBGA

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IS42S16160B-6B 数据手册
IS42S16160B-6B AI解析
物料型号: - IS42S83200B:32Mega x 8位同步动态随机存取存储器(SDRAM)。 - IS42S16160B:16Mega x 16位同步动态随机存取存储器(SDRAM)。

器件简介: - 这两种SDRAM均由ISSI生产,设计用于3.3V的电源系统,采用全同步接口,所有信号都参考正时钟边沿。

引脚分配: - 两种型号的SDRAM都使用54引脚TSOP-II或54球BGA封装,具体引脚功能包括数据I/O、行地址输入、列地址输入、银行选择地址、系统时钟输入、时钟使能、芯片选择、行地址脉冲命令、列地址脉冲命令、写使能、数据输入/输出掩码、电源和地。

参数特性: - 时钟频率:166MHz、143MHz、133MHz。 - 内部银行设计用于隐藏行访问/预充电时间。 - LVTTL接口。 - 可编程突发长度:1、2、4、8或全页。 - 可编程突发序列:顺序/交错。 - 自动刷新(CBR)和自刷新功能。 - 8K刷新周期每64ms。 - 每个时钟周期随机列地址。 - 可编程CAS延迟(2、3时钟)。

功能详解: - SDRAM支持突发读写操作能力,可以通过突发停止和预充电命令终止突发。 - 包括工业温度范围内的版本。 - 提供无铅版本。

应用信息: - 由于其高速数据传输能力,这些SDRAM适用于需要快速存取大量数据的应用场合。

封装信息: - 54引脚TSOP-II和54球BGA封装,适用于x16数据宽度版本。
*介绍内容由AI识别生成
IS42S16160B-6B 价格&库存

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