物料型号: IS42S16400D
器件简介:
- 由ISSI生产的64Mb Synchronous DRAM,具有高速数据传输能力。
- 组织为1,048,576位 x 16位 x 4-bank,采用流水线架构实现高速数据传输。
引脚分配:
- 54-Pin TSOP (Type II)封装,包含地址输入(A0-A11)、银行选择地址(BA0, BA1)、数据I/O(DQ0-DQ15)、系统时钟输入(CLK)、时钟使能(CKE)、芯片选择(CS)、行地址脉冲命令(RAS)、列地址脉冲命令(CAS)、写使能(WE)、输入/输出掩码(LDQM, UDQM)等。
参数特性:
- 时钟频率:166 MHz或143 MHz。
- 完全同步操作,所有信号参考正时钟边缘。
- 内部银行设计用于隐藏行访问/预充电时间。
- 单3.3V电源供电,LVTTL接口。
功能详解:
- 支持自动刷新模式和节能的电源下降模式。
- 所有信号在时钟信号的正边缘注册。
- 支持同步突发数据传输,自动列地址生成。
- 支持在突发访问期间随机更改列地址。
应用信息:
- 适用于需要高速数据传输和高密度存储的内存系统。
封装信息:
- 400-mil 54-pin TSOP II封装,也提供无铅封装选项。