IS42S16400J-6TLI

物料型号： - IS42S16400J - IS45S16400J

器件简介： - ISSI的64Mb同步动态随机存取存储器（SDRAM）是一种高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于在3.3V的内存系统中运行，包含67,108,864位。内部配置为具有同步接口的四银行DRAM。每个16,777,216位的银行组织为4,096行x 256列x 16位。

引脚分配： - 数据I/O引脚（DQ0至DQ15）：用于数据输入和输出。 - 行地址输入（A0至A11）：与读写命令一起选择内存阵列中的一个位置。 - 银行选择地址（BA0, BA1）：定义要应用活动、读写或预充电命令的银行。 - 系统时钟输入（CLK）：设备的主时钟输入。 - 时钟使能（CKE）：确定是否使能CLK输入。 - 芯片选择（CS）：确定是否在设备内启用命令输入。 - 行地址脉冲命令（RAS）、列地址脉冲命令（CAS）、写使能（WE）：与CAS和WE一起形成设备命令。

参数特性： - 时钟频率：200、166、143、133 MHz。 - CAS延迟：可编程CAS延迟（2、3时钟）。 - 突发长度：可编程突发长度（1、2、4、8、全页）。 - 突发序列：顺序/交错。 - 自刷新模式：自动刷新（CBR）。

功能详解： - 同步动态随机存取存储器具有自动刷新模式和节能的掉电模式。所有信号都在时钟信号CLK的正边沿注册。所有输入和输出都与LVTTL兼容。 - 具有在高数据速率下同步突发数据的能力，具有自动列地址生成能力，能够在突发访问期间随机更改列地址。

应用信息： - 适用于需要高速数据传输和高密度存储的应用。

封装信息： - 54引脚TSOP II、54球TF-BGA（8mm x 8mm）、60球TF-BGA（10.1mm x 6.4mm）。