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IS42S86400F-6TL

IS42S86400F-6TL

  • 厂商:

    ISSI(芯成半导体)

  • 封装:

    TSOP54

  • 描述:

    IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
IS42S86400F-6TL 数据手册
IS42S86400F-6TL
物料型号: - IS42R86400F/16320F - IS45R86400F/16320F - IS42S86400F/16320F - IS45S86400F/16320F

器件简介: 这些是ISSI生产的512Mb SDRAM存储器,具有高速数据传输能力,使用流水线架构,所有输入和输出信号都参照时钟信号的上升沿。这些SDRAM器件内部配置为四银行动态随机存取存储器,具有同步接口。

引脚分配: - 54-pin TSOP-II和54-ball TF-BGA封装,具体引脚功能包括数据I/O、行地址输入、列地址输入、银行选择地址、系统时钟输入、时钟使能、芯片选择、行地址脉冲命令、列地址脉冲命令等。

参数特性: - 时钟频率:200/166/143 MHz - 工作电压:Vdd/Vddq = 2.3V-3.6V(IS42/45SxxxxxF),3.3V(IS42/45RxxxxxF),2.5V - LVTTL接口 - 可编程突发长度:1, 2, 4, 8, 全页 - 可编程突发序列:顺序/交错 - 自动刷新(CBR) - 自我刷新 - 随机列地址访问:每个时钟周期一次

功能详解: - 512Mb SDRAM具有在高数据速率下同步突发数据的能力,具有自动列地址生成、在内部银行之间交错以隐藏预充电时间,以及在突发访问期间的每个时钟周期内随机更改列地址的功能。

应用信息: - 提供商业(0°C至+70°C)、工业(-40°C至+85°C)、汽车A1(-40°C至+85°C)和汽车A2(-40°C至+105°C)温度范围的产品。

封装信息: - 54-pin TSOP-II封装和54-ball TF-BGA封装,具体封装细节和尺寸在文档中有详细描述。
IS42S86400F-6TL 价格&库存

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